Tổng hợp 200+ câu hỏi trắc nghiệm Kĩ thuật điện hạ thế có lời giải minh họa

Câu 1:

Khi tiến hành thử nghiệm dây thắt lưng an toàn đối với dây mới thì thời gian thử nghiệm là bao nhiêu?

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Câu hỏi này liên quan đến quy trình kiểm tra dây thắt lưng an toàn mới. Theo các tiêu chuẩn an toàn, thời gian thử nghiệm dây thắt lưng an toàn đối với dây mới thường được quy định để đảm bảo dây có thể chịu được tải trọng và áp lực trong một khoảng thời gian nhất định. Trong các lựa chọn được đưa ra, phương án phù hợp nhất là 5 phút.

Câu 2:

Khi tiến hành thử nghiệm dây thắt lưng an toàn đối với dây cũ thì thời gian thử nghiệm là bao nhiêu?

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Theo quy định về an toàn lao động, khi thử nghiệm dây thắt lưng an toàn đối với dây cũ, thời gian thử nghiệm tiêu chuẩn là 5 phút. Mục đích của việc này là đảm bảo dây có thể chịu được tải trọng và không bị đứt gãy trong điều kiện làm việc thực tế.

Câu 3:

Khi tiến hành thử nghiệm dây thắt lưng an toàn thì trọng lượng thử và thời gian thử nghiệm đối với dây cũ là bao nhiêu?

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Câu hỏi này liên quan đến quy trình và thông số kỹ thuật trong thử nghiệm dây thắt lưng an toàn đã qua sử dụng. Theo các tiêu chuẩn an toàn lao động, khi kiểm tra dây thắt lưng an toàn cũ, cần sử dụng trọng lượng thử là 225 kg và thời gian thử nghiệm là 5 phút để đảm bảo dây vẫn đủ khả năng chịu lực và bảo vệ người lao động trong trường hợp xảy ra sự cố. Do đó, đáp án C là chính xác.

Câu 4:

Có bao nhiêu tiếp giáp PN trong BJT?

Lời giải:

Đáp án đúng: C

BJT (Bipolar Junction Transistor) là transistor lưỡng cực, cấu tạo từ ba lớp bán dẫn (NPN hoặc PNP) tạo thành hai tiếp giáp PN. Một tiếp giáp PN giữa cực gốc (Base) và cực phát (Emitter), và tiếp giáp PN còn lại giữa cực gốc (Base) và cực thu (Collector).

Câu 5:

Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mõng và………..

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Trong một BJT (Bipolar Junction Transistor), vùng base được thiết kế rất mỏng và được pha tạp loãng hơn so với vùng emitter và collector. Điều này là do:

Vùng base mỏng: Giúp các hạt dẫn (điện tử hoặc lỗ trống) dễ dàng di chuyển từ emitter sang collector mà không bị tái hợp quá nhiều trong vùng base. Điều này làm tăng hệ số khuếch đại của transistor.
Pha tạp loãng: Giảm thiểu số lượng hạt dẫn đa số trong vùng base, từ đó giảm dòng base (Ib) và tăng hệ số khuếch đại dòng điện (β hoặc hFE) của transistor. Nếu base pha tạp đậm, dòng base sẽ lớn, làm giảm hiệu suất và hệ số khuếch đại của transistor.

Vì vậy, đáp án chính xác là C.