Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn, thì dòng collector sẽ được giới hạn bởi . . . . . .

Trở kháng ra của mạch khuyếch đại phân cực base thường được xác định bởi điện trở collector (Rc). Điều này là do trở kháng ra nhìn từ collector của transistor BJT (trong cấu hình common-emitter hoặc tương tự) chủ yếu bị ảnh hưởng bởi điện trở mắc tại collector. Các yếu tố khác như beta của transistor có ảnh hưởng, nhưng ảnh hưởng trực tiếp và lớn nhất đến trở kháng ra là giá trị của Rc.

Công thức chung để tính hệ số khuyếch đại điện áp (Av) của mạch khuyếch đại phân cực base (common-emitter amplifier) là Av = -rc/re, trong đó rc là điện trở tải AC (AC load resistance) và re là điện trở emitter AC (AC emitter resistance). Dấu âm (-) chỉ ra rằng tín hiệu ra bị đảo pha 180 độ so với tín hiệu vào.

Trong các đáp án được đưa ra:
- Đáp án A: Av= VCC/ Vc là không đúng. VCC là điện áp nguồn cung cấp và Vc là điện áp collector, tỷ lệ này không phản ánh hệ số khuyếch đại điện áp.
- Đáp án B: Av= VB/ VE cũng không đúng. VB và VE là điện áp base và emitter, tỷ lệ này không đại diện cho hệ số khuyếch đại điện áp.
- Đáp án C: Av= rc/ re đúng. Đây là công thức gần đúng cho hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuếch đại CE.
- Đáp án D: Av= RLx không rõ ràng và thiếu thông tin về RLx là gì, do đó không thể xác định tính đúng sai, nhưng thường không phải là công thức chung cho hệ số khuyếch đại điện áp.

Để xác định điện áp DC trên collector của transistor, chúng ta cần phân tích mạch điện (hình 3.41). Tuy nhiên, vì không có hình ảnh hoặc thông tin cụ thể về mạch, ta không thể tính toán chính xác giá trị điện áp. Do đó, không thể xác định đáp án chính xác dựa trên thông tin đã cho. Cần có sơ đồ mạch điện cụ thể (giá trị các điện trở, điện áp nguồn, loại transistor) để giải bài toán này.

Khi tính trở kháng vào của mạch phân cực dùng hai điện trở base (Rb1 và Rb2), hai điện trở này mắc song song với nhau nhìn từ cực base của transistor. Do đó, đáp án đúng là C. Song song.

Điện trở động của tiếp giáp base-emitter (rbe) trong mạch khuếch đại BJT thể hiện ảnh hưởng của sự thay đổi dòng base (Ib) lên điện áp base-emitter (Vbe). Nó được mô hình hóa như một điện trở mắc song song với điện trở tín hiệu ở nhánh base. Điều này là do rbe phản ánh sự thay đổi điện áp Vbe khi dòng Ib thay đổi, và sự thay đổi này ảnh hưởng trực tiếp đến tín hiệu ở base.