50 câu hỏi 60 phút
Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi dẫn là
WSWON = \(\frac{1}{6}\)V.I.tswon
50 câu hỏi 60 phút
45 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
22 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
Transistor công suất (BJT) được thiết kế để chịu được dòng điện lớn. Để đạt được điều này, nồng độ doping vùng phát phải cao. Đồng thời:
- Độ rộng vùng phát hẹp giúp giảm điện trở nền ký sinh (A đúng).
- Cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát giúp tăng diện tích tiếp xúc, tăng khả năng dẫn dòng và tản nhiệt (B đúng).
- Điện trở cực phát nhỏ cũng giúp giảm tổn thất công suất và tăng hiệu suất (C đúng).
Vì cả A, B và C đều đúng, nên đáp án đúng là D.