80+ câu trắc nghiệm Điện công suất có lời giải - Đề 1

40 câu hỏi 50 phút

Thẻ ghi nhớ

Luyện tập

Nhấn để lật thẻ

1 / 40

Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế:

Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh

Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát

Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ

Các câu a, b, c đều đúng

Đáp án

Đáp án đúng: D

Transistor công suất (BJT) cần có khả năng chịu dòng điện lớn. Để đạt được điều này, nồng độ doping vùng phát phải cao, và transistor thường được thiết kế với:

a) Độ rộng vùng phát hẹp: Giúp giảm điện trở nền ký sinh, tăng tốc độ chuyển mạch và hiệu suất.

b) Cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure): Tăng diện tích tiếp xúc giữa cực nền và cực phát, giúp tản nhiệt tốt hơn và chịu dòng điện lớn hơn.

c) Điện trở cực phát nhỏ: Giảm tổn thất công suất và tăng hiệu suất.

Vì cả ba yếu tố trên đều đúng, nên đáp án chính xác là "Các câu a, b, c đều đúng".

Danh sách câu hỏi:

Câu 1:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

a) Độ rộng vùng phát hẹp: Giúp giảm điện trở nền ký sinh, tăng tốc độ chuyển mạch và hiệu suất.

b) Cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure): Tăng diện tích tiếp xúc giữa cực nền và cực phát, giúp tản nhiệt tốt hơn và chịu dòng điện lớn hơn.

c) Điện trở cực phát nhỏ: Giảm tổn thất công suất và tăng hiệu suất.

Vì cả ba yếu tố trên đều đúng, nên đáp án chính xác là "Các câu a, b, c đều đúng".

Câu 2:

Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

MOSFET công suất có những ưu điểm nổi bật so với BJT công suất:

Làm việc ở tần số cao hơn, đáp ứng nhanh hơn ⇒ A và B sai.

Điều khiển bằng điện áp, mạch kích (driver) thường dễ hơn BJT ⇒ D sai.

MOSFET có đặc tuyến giới hạn tối đa xác định và không có hiện tượng phá hủy thứ cấp (secondary breakdown) như BJT công suất.

⇒ Đáp án đúng: C. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất

Câu 3:

Triac có bao nhiêu cách kích dẫn:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Triac là một linh kiện bán dẫn có khả năng dẫn điện theo cả hai chiều khi được kích dẫn. Nó có thể được kích dẫn bằng cả điện áp dương và điện áp âm ở cả hai cực (A1 và A2) so với cực điều khiển (Gate). Do đó, có tổng cộng bốn cách kích dẫn Triac:

1. Gate dương, A1 dương so với A2.
2. Gate dương, A1 âm so với A2.
3. Gate âm, A1 dương so với A2.
4. Gate âm, A1 âm so với A2.

Câu 4:

Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch):

Lời giải:

Đáp án đúng: B

SCS (Silicon Controlled Switch) là một loại thyristor có bốn lớp bán dẫn và bốn cực (Anode, Cathode, Gate Anode, Gate Cathode). Để SCS dẫn (bật), cần cấp nguồn VAK dương (Anode dương so với Cathode) và kích một xung dương vào cực Gate Cathode (G_K). Để SCS ngưng (tắt), cần kích một xung dương vào cực Gate Anode (GA). Do đó, đáp án đúng là: "Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK dương và cho xung kích đi vào cực G_A, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_K"

Câu 5:

Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

Lời giải:

Đáp án đúng: C

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) là một loại transistor lưỡng cực có cực điều khiển cách ly. Nó kết hợp ưu điểm của cả BJT (Bipolar Junction Transistor) và MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Cụ thể, IGBT có khả năng đóng cắt nhanh (như MOSFET) và khả năng chịu dòng điện lớn (như BJT). Tuy nhiên, ở đây có sự nhầm lẫn giữa BJT và SCR (Silicon Controlled Rectifier), và SCS (Silicon Controlled Switch). SCR và SCS là các thyristor, không phải transistor thông thường. Vì vậy, phương án đúng nhất là IGBT kết hợp đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của transistor (BJT) và điện thế điều khiển ở cực cổng của MOSFET. Do đó, đáp án chính xác nhất là phương án 3.