Thời gian phục hồi của diode công suất khi diode đang dẫn đột ngột chuyển sang trạng thái ngưng là do:

Diode có công suất lớn, thời gian này bằng không

Diode có thời gian chuyển tiếp do sự phục hồi của các hạt tải trong nối pn

Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch

Diode có dòng giảm từ IF đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode

Trả lời:

Đáp án đúng: B

Thời gian phục hồi ngược (reverse recovery time) của diode công suất là khoảng thời gian cần thiết để diode chuyển từ trạng thái dẫn điện (thuận) sang trạng thái khóa (ngược) hoàn toàn. Hiện tượng này xảy ra do các hạt tải (điện tử và lỗ trống) đã được bơm vào vùng tiếp giáp p-n khi diode dẫn điện vẫn còn tồn tại sau khi điện áp đổi chiều. Cần có thời gian để các hạt tải này tái hợp hoặc bị quét khỏi vùng tiếp giáp, và trong khoảng thời gian đó, diode vẫn có thể dẫn dòng điện ngược. Vì vậy, đáp án đúng là do sự phục hồi của các hạt tải trong nối p-n.

80+ câu trắc nghiệm Điện công suất có lời giải - Phần 1

Đề cương ôn thi với 80+ câu hỏi môn Điện công suất có đáp án dành cho các bạn sinh viên Đại học - Cao đẳng , đặc biệt là chuyên ngành Điện tử hệ thống các kiến thức và ôn thi dễ dàng hơn.

40 câu hỏi 50 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 35:

Thời gian chuyển tiếp của diode là thời gian:

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Thời gian chuyển tiếp của diode (reverse recovery time) là khoảng thời gian cần thiết để diode chuyển từ trạng thái dẫn (thuận) sang trạng thái khóa (nghịch). Trong quá trình này, điện thế trên diode giảm từ điện thế thuận sang điện thế ngược, và các hạt tải điện (electrons và holes) còn lại trong vùng tiếp giáp pn tiếp tục di chuyển, tạo ra dòng điện ngược (I_RM). Do đó, đáp án chính xác nhất là phương án 2.

Câu 36:

Thời gian tích trử của diode là thời gian:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Thời gian tích trữ của diode (storage time) là thời gian cần thiết để diode chuyển từ trạng thái dẫn điện (dòng điện thuận IF) sang trạng thái khóa (dòng điện ngược IRM) khi điện áp đặt vào diode chuyển từ thuận sang nghịch. Trong khoảng thời gian này, các hạt tải điện thiểu số (minority carriers) vẫn còn trong vùng chuyển tiếp và tiếp tục dẫn điện, tạo ra dòng điện ngược. Do đó, đáp án chính xác nhất là mô tả quá trình dòng điện giảm từ IF đến IRM do các hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếm.

Câu 37:

Thời gian phụ hồi nghịch của diode là thời gian:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Thời gian phục hồi nghịch (reverse recovery time) của diode là khoảng thời gian cần thiết để diode chuyển từ trạng thái dẫn điện (dòng điện thuận IF) sang trạng thái khóa (dòng điện ngược nhỏ, gần bằng 0). Trong khoảng thời gian này, dòng điện giảm từ IF đến một giá trị âm (IRM) do các hạt tải còn lại trong vùng tiếp giáp p-n tiếp tục di chuyển trước khi diode hoàn toàn khóa. Đáp án 3 mô tả chính xác quá trình này: dòng điện giảm từ 0 đến IRM rồi trở về 0.

Câu 38:

Cách làm tăng dòng IA để làm SCR từ trạng thái ngưng sang trạng thái dẫn. Phát biểu nào sau đây là đúng:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Câu hỏi này kiểm tra kiến thức về các phương pháp kích SCR (Silicon Controlled Rectifier) từ trạng thái ngưng dẫn sang trạng thái dẫn. Có nhiều cách để kích SCR, và câu hỏi yêu cầu xác định phát biểu đúng trong số các lựa chọn.

* Phương án a: Tăng điện thế Anot có thể làm tăng dòng rỉ ICBO và gây ra hiện tượng đánh thủng, nhưng đây không phải là cách thường dùng để kích SCR một cách chủ động. Thông thường, người ta tránh để SCR hoạt động gần điện áp đánh thủng.
* Phương án b: Tăng dòng IG (dòng điều khiển vào cực G) là phương pháp phổ biến và trực tiếp nhất để kích SCR. Khi dòng IG đủ lớn, nó sẽ làm cho các transistor trong mạch tương đương của SCR nhanh chóng chuyển sang trạng thái dẫn bảo hòa, kích SCR dẫn điện.
* Phương án c: Tăng nhiệt độ hoặc tốc độ tăng điện áp (dv/dt) có thể kích SCR dẫn, nhưng đây là những yếu tố gây nhiễu hoặc có thể gây hư hỏng SCR nếu vượt quá giới hạn cho phép. Tốc độ tăng điện áp quá nhanh có thể làm SCR tự kích dẫn.
* Phương án d: Vì phương án b và c đều đúng (trong một mức độ nhất định, nhưng phương án b chính xác và chủ động hơn), nên đây có thể là đáp án đúng.

Tuy nhiên, cần xem xét kỹ. Phương án b là phương pháp kích dẫn trực tiếp và chủ động nhất, trong khi phương án c là các yếu tố có thể gây kích dẫn không mong muốn hoặc nguy hiểm. Do đó, phương án b là đáp án chính xác nhất, và phương án d không hoàn toàn đúng.

Vậy, đáp án đúng là b: Tăng dòng IG để các transistor (mạch tương đương) nhanh chóng đi vào trạng thái dẫn bảo hoà.

Câu 39:

Để tác động cho SCR đang dẫn chuyển sang trạng thái ngưng, cách nào sau cách là đúng:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Để SCR (Silicon Controlled Rectifier) đang dẫn chuyển sang trạng thái ngưng (tắt), cần phải làm giảm dòng điện anode (I_A) xuống dưới dòng điện duy trì (I_H) hoặc làm cho điện áp anode-cathode (V_AK) âm (đối với SCR đảo chiều).

* Cắt bỏ nguồn cung cấp: Loại bỏ hoàn toàn nguồn điện sẽ làm cho SCR ngưng dẫn.
* Dùng một bộ phận có điện trở thật nhỏ mắc song song với SCR để tạo dòng I_A < I_H (gọi là thắng động lực): Mắc song song một điện trở nhỏ có thể tạo ra một con đường khác cho dòng điện, làm giảm dòng điện qua SCR xuống dưới mức duy trì, khiến nó tắt.
* Tạo V_AK < 0 (dòng xoay chiều hay xung giao hoán): Đảo ngược điện áp giữa anode và cathode sẽ tắt SCR.

Vì cả ba phương án đều đúng, nên đáp án chính xác là "Các phát biểu a, b, c đều đúng".

Câu 40:

Phát biểu nào sau đây đúng cho định nghĩa về tốc độ tăng thế thuận dv/dt:

Lời giải: