Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất:

undefined.

Tần số làm việc thấp so với BJT công suất

Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất

Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất

Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất

Trả lời:

Đáp án đúng: B

MOSFET công suất có những ưu điểm nổi bật so với BJT công suất:

Làm việc ở tần số cao hơn, đáp ứng nhanh hơn ⇒ A và B sai.

Điều khiển bằng điện áp, mạch kích (driver) thường dễ hơn BJT ⇒ D sai.

MOSFET có đặc tuyến giới hạn tối đa xác định và không có hiện tượng phá hủy thứ cấp (secondary breakdown) như BJT công suất.

⇒ Đáp án đúng: C. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất

80+ câu trắc nghiệm Điện công suất có lời giải - Phần 1

Đề cương ôn thi với 80+ câu hỏi môn Điện công suất có đáp án dành cho các bạn sinh viên Đại học - Cao đẳng , đặc biệt là chuyên ngành Điện tử hệ thống các kiến thức và ôn thi dễ dàng hơn.

40 câu hỏi 50 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 3:

Triac có bao nhiêu cách kích dẫn:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Triac là một linh kiện bán dẫn có khả năng dẫn điện theo cả hai chiều khi được kích dẫn. Nó có thể được kích dẫn bằng cả điện áp dương và điện áp âm ở cả hai cực (A1 và A2) so với cực điều khiển (Gate). Do đó, có tổng cộng bốn cách kích dẫn Triac:

1. Gate dương, A1 dương so với A2.
2. Gate dương, A1 âm so với A2.
3. Gate âm, A1 dương so với A2.
4. Gate âm, A1 âm so với A2.

Câu 4:

Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch):

Lời giải:

Đáp án đúng: B

SCS (Silicon Controlled Switch) là một loại thyristor có bốn lớp bán dẫn và bốn cực (Anode, Cathode, Gate Anode, Gate Cathode). Để SCS dẫn (bật), cần cấp nguồn VAK dương (Anode dương so với Cathode) và kích một xung dương vào cực Gate Cathode (G_K). Để SCS ngưng (tắt), cần kích một xung dương vào cực Gate Anode (GA). Do đó, đáp án đúng là: "Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK dương và cho xung kích đi vào cực G_A, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_K"

Câu 5:

Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

Lời giải:

Đáp án đúng: C

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) là một loại transistor lưỡng cực có cực điều khiển cách ly. Nó kết hợp ưu điểm của cả BJT (Bipolar Junction Transistor) và MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Cụ thể, IGBT có khả năng đóng cắt nhanh (như MOSFET) và khả năng chịu dòng điện lớn (như BJT). Tuy nhiên, ở đây có sự nhầm lẫn giữa BJT và SCR (Silicon Controlled Rectifier), và SCS (Silicon Controlled Switch). SCR và SCS là các thyristor, không phải transistor thông thường. Vì vậy, phương án đúng nhất là IGBT kết hợp đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của transistor (BJT) và điện thế điều khiển ở cực cổng của MOSFET. Do đó, đáp án chính xác nhất là phương án 3.

Câu 6:

Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Trong các linh kiện được liệt kê:

MOSFET, THYRISTOR, và TRIAC đều là các linh kiện bán dẫn công suất, có khả năng điều khiển dòng điện lớn và do đó điều khiển công suất.

DIAC (Diode for Alternating Current) là một diode hai chiều, thường được sử dụng để kích hoạt TRIAC. DIAC không có khả năng điều khiển công suất trực tiếp mà chỉ đóng vai trò như một phần tử kích hoạt.

Do đó, DIAC là linh kiện không có khả năng điều khiển công suất.

Câu 7:

Mạch điều khiển công suất cần làm việc với điện áp lớn cần sử dụng:

Lời giải:

Đáp án đúng: A

SCR (Silicon Controlled Rectifier) là một loại thyristor, có khả năng chịu được điện áp và dòng điện lớn. Do đó, nó thường được sử dụng trong các mạch điều khiển công suất lớn. FET (Field-Effect Transistor) cũng được sử dụng trong các ứng dụng công suất, nhưng SCR thường được ưu tiên hơn khi cần xử lý điện áp rất cao. Diode chỉ có chức năng chỉnh lưu và không phù hợp cho điều khiển công suất lớn. Vì vậy, đáp án chính xác là SCR.

Câu 8:

Cấu tạo SCR có số lớp chất bán dẫn là:

Lời giải: