Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch):

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK âm và cho xung kích đi vào cực G_K, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_A

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK dương và cho xung kích đi vào cực G_A, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_K

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK dương và cho xung kích đi vào cực G_K, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_A

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK âm và cho xung kích đi vào cực G_A, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_K

Trả lời:

Đáp án đúng: C

SCS (Silicon Controlled Switch) là một loại thyristor có bốn lớp bán dẫn và bốn cực (Anode, Cathode, Gate Anode, Gate Cathode). Để SCS dẫn (bật), cần cấp nguồn VAK dương (Anode dương so với Cathode) và kích một xung dương vào cực Gate Cathode (GK). Để SCS ngưng (tắt), cần kích một xung dương vào cực Gate Anode (GA). Do đó, đáp án đúng là: "Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK dương và cho xung kích đi vào cực GA, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GK"

80+ câu trắc nghiệm Điện công suất có lời giải - Phần 1

Đề cương ôn thi với 80+ câu hỏi môn Điện công suất có đáp án dành cho các bạn sinh viên Đại học - Cao đẳng , đặc biệt là chuyên ngành Điện tử hệ thống các kiến thức và ôn thi dễ dàng hơn.

40 câu hỏi 50 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 5:

Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

Lời giải:

Đáp án đúng: C

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) là một loại transistor lưỡng cực có cực điều khiển cách ly. Nó kết hợp ưu điểm của cả BJT (Bipolar Junction Transistor) và MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Cụ thể, IGBT có khả năng đóng cắt nhanh (như MOSFET) và khả năng chịu dòng điện lớn (như BJT). Tuy nhiên, ở đây có sự nhầm lẫn giữa BJT và SCR (Silicon Controlled Rectifier), và SCS (Silicon Controlled Switch). SCR và SCS là các thyristor, không phải transistor thông thường. Vì vậy, phương án đúng nhất là IGBT kết hợp đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của transistor (BJT) và điện thế điều khiển ở cực cổng của MOSFET. Do đó, đáp án chính xác nhất là phương án 3.

Câu 6:

Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Trong các linh kiện được liệt kê:

MOSFET, THYRISTOR, và TRIAC đều là các linh kiện bán dẫn công suất, có khả năng điều khiển dòng điện lớn và do đó điều khiển công suất.

DIAC (Diode for Alternating Current) là một diode hai chiều, thường được sử dụng để kích hoạt TRIAC. DIAC không có khả năng điều khiển công suất trực tiếp mà chỉ đóng vai trò như một phần tử kích hoạt.

Do đó, DIAC là linh kiện không có khả năng điều khiển công suất.

Câu 7:

Mạch điều khiển công suất cần làm việc với điện áp lớn cần sử dụng:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

SCR (Silicon Controlled Rectifier) là một loại thyristor, có khả năng chịu được điện áp và dòng điện lớn. Do đó, nó thường được sử dụng trong các mạch điều khiển công suất lớn. FET (Field-Effect Transistor) cũng được sử dụng trong các ứng dụng công suất, nhưng SCR thường được ưu tiên hơn khi cần xử lý điện áp rất cao. Diode chỉ có chức năng chỉnh lưu và không phù hợp cho điều khiển công suất lớn. Vì vậy, đáp án chính xác là SCR.

Câu 8:

Cấu tạo SCR có số lớp chất bán dẫn là:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

SCR (Silicon Controlled Rectifier) là một loại thyristor có cấu trúc gồm 4 lớp bán dẫn (P-N-P-N).

Câu 9:

Diode công suất ở trạng thái dẫn có điện áp V_AK là:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Diode công suất khi dẫn (ở trạng thái ON) sẽ có một điện áp rơi trên nó. Điện áp này thường lớn hơn so với diode tín hiệu. Giá trị điện áp VAK điển hình cho diode công suất khi dẫn thường lớn hơn 0,8V. Các giá trị 0,2V, 0,3V và 0,6V thường là điện áp rơi cho diode tín hiệu hoặc diode Schottky, không phù hợp với diode công suất.

Câu 10:

SCR được phân cực thuận và kích bằng xung có độ rộng 1 µs thì:

Lời giải: