Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

Trả lời:

Đáp án đúng: C

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) là một loại transistor lưỡng cực có cực điều khiển cách ly. Nó kết hợp ưu điểm của cả BJT (Bipolar Junction Transistor) và MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Cụ thể, IGBT có khả năng đóng cắt nhanh (như MOSFET) và khả năng chịu dòng điện lớn (như BJT). Tuy nhiên, ở đây có sự nhầm lẫn giữa BJT và SCR (Silicon Controlled Rectifier), và SCS (Silicon Controlled Switch). SCR và SCS là các thyristor, không phải transistor thông thường. Vì vậy, phương án đúng nhất là IGBT kết hợp đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của transistor (BJT) và điện thế điều khiển ở cực cổng của MOSFET. Do đó, đáp án chính xác nhất là phương án 3.

80+ câu trắc nghiệm Điện công suất có lời giải - Phần 1

Đề cương ôn thi với 80+ câu hỏi môn Điện công suất có đáp án dành cho các bạn sinh viên Đại học - Cao đẳng , đặc biệt là chuyên ngành Điện tử hệ thống các kiến thức và ôn thi dễ dàng hơn.

40 câu hỏi 50 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 6:

Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Trong các linh kiện được liệt kê:

MOSFET, THYRISTOR, và TRIAC đều là các linh kiện bán dẫn công suất, có khả năng điều khiển dòng điện lớn và do đó điều khiển công suất.

DIAC (Diode for Alternating Current) là một diode hai chiều, thường được sử dụng để kích hoạt TRIAC. DIAC không có khả năng điều khiển công suất trực tiếp mà chỉ đóng vai trò như một phần tử kích hoạt.

Do đó, DIAC là linh kiện không có khả năng điều khiển công suất.

Câu 7:

Mạch điều khiển công suất cần làm việc với điện áp lớn cần sử dụng:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

SCR (Silicon Controlled Rectifier) là một loại thyristor, có khả năng chịu được điện áp và dòng điện lớn. Do đó, nó thường được sử dụng trong các mạch điều khiển công suất lớn. FET (Field-Effect Transistor) cũng được sử dụng trong các ứng dụng công suất, nhưng SCR thường được ưu tiên hơn khi cần xử lý điện áp rất cao. Diode chỉ có chức năng chỉnh lưu và không phù hợp cho điều khiển công suất lớn. Vì vậy, đáp án chính xác là SCR.

Câu 8:

Cấu tạo SCR có số lớp chất bán dẫn là:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

SCR (Silicon Controlled Rectifier) là một loại thyristor có cấu trúc gồm 4 lớp bán dẫn (P-N-P-N).

Câu 9:

Diode công suất ở trạng thái dẫn có điện áp V_AK là:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Diode công suất khi dẫn (ở trạng thái ON) sẽ có một điện áp rơi trên nó. Điện áp này thường lớn hơn so với diode tín hiệu. Giá trị điện áp VAK điển hình cho diode công suất khi dẫn thường lớn hơn 0,8V. Các giá trị 0,2V, 0,3V và 0,6V thường là điện áp rơi cho diode tín hiệu hoặc diode Schottky, không phù hợp với diode công suất.

Câu 10:

SCR được phân cực thuận và kích bằng xung có độ rộng 1 µs thì:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

SCR (Silicon Controlled Rectifier) là một linh kiện bán dẫn có 3 cực, hoạt động như một diode chỉnh lưu có điều khiển. Để SCR chuyển sang trạng thái dẫn (bật), cần phải thỏa mãn hai điều kiện:

1. Phân cực thuận: Anode phải dương hơn Cathode.
2. Kích (Gate Triggering): Cần một dòng điện hoặc xung điện áp dương vào cực Gate.

Khi SCR đã được phân cực thuận và nhận được xung kích đủ lớn và đủ thời gian, nó sẽ chuyển sang trạng thái dẫn và duy trì trạng thái này ngay cả khi xung kích không còn (trừ khi dòng điện qua SCR giảm xuống dưới ngưỡng dòng duy trì).

Trong trường hợp này, SCR đã được phân cực thuận và được kích bằng xung có độ rộng 1 µs. Mặc dù 1 µs là một khoảng thời gian ngắn, nhưng nếu xung kích có biên độ đủ lớn thì SCR vẫn có thể chuyển sang trạng thái dẫn. Do đó, đáp án chính xác nhất là 'Chuyển sang trạng thái dẫn'. Tuy nhiên, để chắc chắn, cần phải biết biên độ của xung, nên đáp án 'Có thể dẫn nếu xung có biên độ lớn' chính xác hơn, vì nó thể hiện sự phụ thuộc vào biên độ xung.

Trong các đáp án đã cho, đáp án 'Chuyển sang trạng thái dẫn' là đáp án gần đúng nhất và thường được chấp nhận nếu không có thông tin thêm. Tuy nhiên, đáp án 'Có thể dẫn nếu xung có biên độ lớn' chính xác hơn về mặt kỹ thuật.

Câu 11:

SCR sẽ bị đánh thủng khi:

Lời giải: