Cách làm tăng dòng IA để làm SCR từ trạng thái ngưng sang trạng thái dẫn. Phát biểu nào sau đây là đúng:

Để tác động cho SCR đang dẫn chuyển sang trạng thái ngưng, cách nào sau cách là đúng:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Để SCR (Silicon Controlled Rectifier) đang dẫn chuyển sang trạng thái ngưng (tắt), cần phải làm giảm dòng điện anode (I_A) xuống dưới dòng điện duy trì (I_H) hoặc làm cho điện áp anode-cathode (V_AK) âm (đối với SCR đảo chiều).

* Cắt bỏ nguồn cung cấp: Loại bỏ hoàn toàn nguồn điện sẽ làm cho SCR ngưng dẫn.
* Dùng một bộ phận có điện trở thật nhỏ mắc song song với SCR để tạo dòng I_A < I_H (gọi là thắng động lực): Mắc song song một điện trở nhỏ có thể tạo ra một con đường khác cho dòng điện, làm giảm dòng điện qua SCR xuống dưới mức duy trì, khiến nó tắt.
* Tạo V_AK < 0 (dòng xoay chiều hay xung giao hoán): Đảo ngược điện áp giữa anode và cathode sẽ tắt SCR.

Vì cả ba phương án đều đúng, nên đáp án chính xác là "Các phát biểu a, b, c đều đúng".

Câu 40:

Phát biểu nào sau đây đúng cho định nghĩa về tốc độ tăng thế thuận dv/dt:

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Tốc độ tăng thế thuận dv/dt là tốc độ tăng điện áp lớn nhất cho phép đặt vào anot của SCR khi nó chưa dẫn điện. Nếu tốc độ tăng điện áp vượt quá giá trị này, SCR có thể tự kích dẫn do hiệu ứng điện dung ký sinh bên trong linh kiện. Vì vậy, đáp án đúng là: "Là tốc độ tăng thế lớn nhất của anot mà SCR chưa dẫn, nếu vượt trị số này SCR sẽ dẫn".

Câu 1:

Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Transistor công suất (BJT) cần có khả năng chịu dòng điện lớn. Để đạt được điều này, nồng độ doping vùng phát phải cao, và transistor thường được thiết kế với:

a) Độ rộng vùng phát hẹp: Giúp giảm điện trở nền ký sinh, tăng tốc độ chuyển mạch và hiệu suất.

b) Cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure): Tăng diện tích tiếp xúc giữa cực nền và cực phát, giúp tản nhiệt tốt hơn và chịu dòng điện lớn hơn.

c) Điện trở cực phát nhỏ: Giảm tổn thất công suất và tăng hiệu suất.

Vì cả ba yếu tố trên đều đúng, nên đáp án chính xác là "Các câu a, b, c đều đúng".

Câu 2:

Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Mosfet công suất có những ưu điểm so với BJT công suất, trong đó quan trọng nhất là không có hiện tượng hủy thác thứ cấp (thermal runaway). Điều này có nghĩa là Mosfet có thể chịu được nhiệt độ cao hơn và có đặc tuyến ổn định hơn. Các phương án khác không chính xác vì Mosfet có tần số làm việc cao hơn, đáp ứng tần số tốt hơn và mạch thúc đơn giản hơn BJT công suất.

Câu 3:

Triac có bao nhiêu cách kích dẫn:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Triac là một linh kiện bán dẫn có khả năng dẫn điện theo cả hai chiều khi được kích dẫn. Nó có thể được kích dẫn bằng cả điện áp dương và điện áp âm ở cả hai cực (A1 và A2) so với cực điều khiển (Gate). Do đó, có tổng cộng bốn cách kích dẫn Triac:

1. Gate dương, A1 dương so với A2.
2. Gate dương, A1 âm so với A2.
3. Gate âm, A1 dương so với A2.
4. Gate âm, A1 âm so với A2.

Câu 4:

Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch):

Lời giải: