Để tác động cho SCR đang dẫn chuyển sang trạng thái ngưng, cách nào sau cách là đúng:

Là tốc độ tăng thế lớn nhất của anot mà SCR chưa dẫn, nếu vượt trị số này SCR sẽ dẫn

Là tốc độ tăng thế lớn nhất của anot làm cho SCR dẫn điện

Là tốc độ tăng thế nhỏ nhất của anot làm cho SCR chưa dẫn điện, nếu vượt trị số này SCR sẽ dẫn

Là tốc độ tăng thế nhỏ nhất của anot làm cho SCR dẫn điện

Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh

Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát

Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ

Các câu a, b, c đều đúng

Tần số làm việc thấp so với BJT công suất

Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất

Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất

Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất

một cách

hai cách

ba cách

bốn cách

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK âm và cho xung kích đi vào cực G_K, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_A

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK dương và cho xung kích đi vào cực G_A, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_K

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK dương và cho xung kích đi vào cực G_K, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_A

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK âm và cho xung kích đi vào cực G_A, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_K

IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

MOSFET

THYIRSTOR

TRIAC

DIAC

SCR

FET

Diode

Cả a, b, c đều đúng

3

4

5

6

0,2 V

0,3 V

0,6 V

Lớn hơn 0,8 V