Thời gian phụ hồi nghịch của diode là thời gian:

Diode có dòng giảm từ I_F đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode

Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch, số hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếm làm cho dòng điện thay đổi từ trị số 0 đến I_RM

Diode có dòng giảm từ trị số 0 đến trị số I_RM rồi lại trở về 0

Diode dòng I_F= 0

Trả lời:

Đáp án đúng: C

Thời gian phục hồi nghịch (reverse recovery time) của diode là khoảng thời gian cần thiết để diode chuyển từ trạng thái dẫn điện (dòng điện thuận IF) sang trạng thái khóa (dòng điện ngược nhỏ, gần bằng 0). Trong khoảng thời gian này, dòng điện giảm từ IF đến một giá trị âm (IRM) do các hạt tải còn lại trong vùng tiếp giáp p-n tiếp tục di chuyển trước khi diode hoàn toàn khóa. Đáp án 3 mô tả chính xác quá trình này: dòng điện giảm từ 0 đến IRM rồi trở về 0.

80+ câu trắc nghiệm Điện công suất có lời giải - Phần 1

Đề cương ôn thi với 80+ câu hỏi môn Điện công suất có đáp án dành cho các bạn sinh viên Đại học - Cao đẳng , đặc biệt là chuyên ngành Điện tử hệ thống các kiến thức và ôn thi dễ dàng hơn.

40 câu hỏi 50 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 38:

Cách làm tăng dòng IA để làm SCR từ trạng thái ngưng sang trạng thái dẫn. Phát biểu nào sau đây là đúng:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Câu hỏi này kiểm tra kiến thức về các phương pháp kích SCR (Silicon Controlled Rectifier) từ trạng thái ngưng dẫn sang trạng thái dẫn. Có nhiều cách để kích SCR, và câu hỏi yêu cầu xác định phát biểu đúng trong số các lựa chọn.

* Phương án a: Tăng điện thế Anot có thể làm tăng dòng rỉ ICBO và gây ra hiện tượng đánh thủng, nhưng đây không phải là cách thường dùng để kích SCR một cách chủ động. Thông thường, người ta tránh để SCR hoạt động gần điện áp đánh thủng.
* Phương án b: Tăng dòng IG (dòng điều khiển vào cực G) là phương pháp phổ biến và trực tiếp nhất để kích SCR. Khi dòng IG đủ lớn, nó sẽ làm cho các transistor trong mạch tương đương của SCR nhanh chóng chuyển sang trạng thái dẫn bảo hòa, kích SCR dẫn điện.
* Phương án c: Tăng nhiệt độ hoặc tốc độ tăng điện áp (dv/dt) có thể kích SCR dẫn, nhưng đây là những yếu tố gây nhiễu hoặc có thể gây hư hỏng SCR nếu vượt quá giới hạn cho phép. Tốc độ tăng điện áp quá nhanh có thể làm SCR tự kích dẫn.
* Phương án d: Vì phương án b và c đều đúng (trong một mức độ nhất định, nhưng phương án b chính xác và chủ động hơn), nên đây có thể là đáp án đúng.

Tuy nhiên, cần xem xét kỹ. Phương án b là phương pháp kích dẫn trực tiếp và chủ động nhất, trong khi phương án c là các yếu tố có thể gây kích dẫn không mong muốn hoặc nguy hiểm. Do đó, phương án b là đáp án chính xác nhất, và phương án d không hoàn toàn đúng.

Vậy, đáp án đúng là b: Tăng dòng IG để các transistor (mạch tương đương) nhanh chóng đi vào trạng thái dẫn bảo hoà.

Câu 39:

Để tác động cho SCR đang dẫn chuyển sang trạng thái ngưng, cách nào sau cách là đúng:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Để SCR (Silicon Controlled Rectifier) đang dẫn chuyển sang trạng thái ngưng (tắt), cần phải làm giảm dòng điện anode (I_A) xuống dưới dòng điện duy trì (I_H) hoặc làm cho điện áp anode-cathode (V_AK) âm (đối với SCR đảo chiều).

* Cắt bỏ nguồn cung cấp: Loại bỏ hoàn toàn nguồn điện sẽ làm cho SCR ngưng dẫn.
* Dùng một bộ phận có điện trở thật nhỏ mắc song song với SCR để tạo dòng I_A < I_H (gọi là thắng động lực): Mắc song song một điện trở nhỏ có thể tạo ra một con đường khác cho dòng điện, làm giảm dòng điện qua SCR xuống dưới mức duy trì, khiến nó tắt.
* Tạo V_AK < 0 (dòng xoay chiều hay xung giao hoán): Đảo ngược điện áp giữa anode và cathode sẽ tắt SCR.

Vì cả ba phương án đều đúng, nên đáp án chính xác là "Các phát biểu a, b, c đều đúng".

Câu 40:

Phát biểu nào sau đây đúng cho định nghĩa về tốc độ tăng thế thuận dv/dt:

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Tốc độ tăng thế thuận dv/dt là tốc độ tăng điện áp lớn nhất cho phép đặt vào anot của SCR khi nó chưa dẫn điện. Nếu tốc độ tăng điện áp vượt quá giá trị này, SCR có thể tự kích dẫn do hiệu ứng điện dung ký sinh bên trong linh kiện. Vì vậy, đáp án đúng là: "Là tốc độ tăng thế lớn nhất của anot mà SCR chưa dẫn, nếu vượt trị số này SCR sẽ dẫn".

Câu 1:

Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Transistor công suất (BJT) cần có khả năng chịu dòng điện lớn. Để đạt được điều này, nồng độ doping vùng phát phải cao, và transistor thường được thiết kế với:

a) Độ rộng vùng phát hẹp: Giúp giảm điện trở nền ký sinh, tăng tốc độ chuyển mạch và hiệu suất.

b) Cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure): Tăng diện tích tiếp xúc giữa cực nền và cực phát, giúp tản nhiệt tốt hơn và chịu dòng điện lớn hơn.

c) Điện trở cực phát nhỏ: Giảm tổn thất công suất và tăng hiệu suất.

Vì cả ba yếu tố trên đều đúng, nên đáp án chính xác là "Các câu a, b, c đều đúng".

Câu 2:

Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Mosfet công suất có những ưu điểm so với BJT công suất, trong đó quan trọng nhất là không có hiện tượng hủy thác thứ cấp (thermal runaway). Điều này có nghĩa là Mosfet có thể chịu được nhiệt độ cao hơn và có đặc tuyến ổn định hơn. Các phương án khác không chính xác vì Mosfet có tần số làm việc cao hơn, đáp ứng tần số tốt hơn và mạch thúc đơn giản hơn BJT công suất.

Câu 3:

Triac có bao nhiêu cách kích dẫn:

Lời giải: