50 câu hỏi 60 phút
Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi dẫn là
WSWON = \(\frac{1}{6}\)V.I.tswon
Công thức tính năng lượng tiêu hao trong quá trình chuyển mạch bật của công tắc bán dẫn lý tưởng là (W_{SWON} = \frac{1}{6} V.I.t_{swon}), trong đó V là điện áp, I là dòng điện và t_swon là thời gian bật công tắc.
50 câu hỏi 60 phút
45 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
22 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
50 câu hỏi 60 phút
Công thức tính năng lượng tiêu hao trong quá trình chuyển mạch bật của công tắc bán dẫn lý tưởng là (W_{SWON} = \frac{1}{6} V.I.t_{swon}), trong đó V là điện áp, I là dòng điện và t_swon là thời gian bật công tắc.
Công tắc bán dẫn lý tưởng là công tắc có điện áp và dòng điện thay đổi tuyến tính trong quá trình chuyển mạch. Năng lượng tiêu hao trong quá trình tắt (khởi ngưng) được tính bằng công thức: (W_{SWOFF} = \frac{1}{6} V.I.t_{swoff}), trong đó V là điện áp, I là dòng điện, và t_swoff là thời gian tắt.
Công suất tiêu tán trong một chu kỳ giao hoán của công tắc bán dẫn lý tưởng được tính bằng công thức: P_SW = (1/6)VI(t_swon + t_swoff)f, trong đó V là điện áp, I là dòng điện, t_swon là thời gian bật, t_swoff là thời gian tắt và f là tần số.
Công suất thất thoát tổng cộng của một diode bao gồm công suất tiêu thụ khi diode dẫn (ON), công suất tiêu thụ khi diode tắt (OFF) và công suất tiêu thụ do chuyển mạch (SW). Do đó, công thức tính tổng công suất thất thoát là PT = PON + POFF + PSW.
Transistor công suất (BJT) được thiết kế để chịu được dòng điện lớn. Để đạt được điều này, nồng độ doping vùng phát phải cao. Đồng thời:
- Độ rộng vùng phát hẹp giúp giảm điện trở nền ký sinh (A đúng).
- Cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát giúp tăng diện tích tiếp xúc, tăng khả năng dẫn dòng và tản nhiệt (B đúng).
- Điện trở cực phát nhỏ cũng giúp giảm tổn thất công suất và tăng hiệu suất (C đúng).
Vì cả A, B và C đều đúng, nên đáp án đúng là D.