Công suất thất thoát tổng cộng của một diode được tính (A)

Transistor công suất (BJT) được thiết kế để chịu được dòng điện lớn. Để đạt được điều này, nồng độ doping vùng phát phải cao. Đồng thời:

- Độ rộng vùng phát hẹp giúp giảm điện trở nền ký sinh (A đúng).

- Cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát giúp tăng diện tích tiếp xúc, tăng khả năng dẫn dòng và tản nhiệt (B đúng).

- Điện trở cực phát nhỏ cũng giúp giảm tổn thất công suất và tăng hiệu suất (C đúng).

Vì cả A, B và C đều đúng, nên đáp án đúng là D.

Khi transistor BJT hoạt động ở chế độ bão hòa, điện áp collector-emitter (VCEbh) rất nhỏ, gần bằng 0. Công suất tiêu thụ trên transistor chủ yếu là do dòng điện collector (ICM) và dòng điện base (IB) gây ra. Do đó, công thức tính công suất thất thoát (PON) khi transistor dẫn bão hòa là PON = VCEbh * ICM + VBEbh * IB, trong đó VBEbh là điện áp base-emitter khi transistor bão hòa.

Công thức tính năng lượng thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là: W_SW = (1/6)V_CEM.I_CM(t_swon + t_swoff)

Công suất thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán bao gồm công suất tiêu thụ khi transistor ở trạng thái ON (P_ON), công suất tiêu thụ khi transistor ở trạng thái OFF (P_OFF), và năng lượng tiêu thụ trong quá trình chuyển mạch (W_SW) nhân với tần số chuyển mạch (f). Do đó, công thức đúng là: P_T = (P_ONt_on + P_OFFt_off + W_SW)f. Các đáp án khác không bao gồm đầy đủ các thành phần hoặc có dạng công thức không chính xác.

Mosfet công suất thường có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V (V-mosfet) để tăng diện tích kênh dẫn, từ đó cho phép dòng điện lớn chạy qua. Các tiếp giáp p-n trong MOSFET không trực tiếp quyết định khả năng cấp dòng lớn mà liên quan đến cấu trúc và hoạt động của transistor. Diện tích tiếp xúc vùng hiếm nhỏ không giúp cấp dòng lớn hơn mà ảnh hưởng đến điện dung ký sinh.