Trong sơ đồ tải R+L, diode D1 sẽ dẫn ở các thời điểm: (B)

0 đến π

2kπ đến (2k+1)π

(2k+1)π đến 2(k+1)π

Các câu A, B, C đều sai

Trả lời:

Đáp án đúng: B

Diode D1 dẫn khi điện áp trên anode lớn hơn điện áp trên cathode. Trong sơ đồ tải R+L, diode D1 sẽ dẫn khi điện áp nguồn dương và có dòng điện chạy qua cuộn cảm L. Điều này xảy ra trong khoảng thời gian từ 2kπ đến (2k+1)π, với k là số nguyên. Do đó, đáp án B là đáp án đúng.

150+ câu hỏi trắc nghiệm Điện tử công suất giải thích đáp án ngắn gọn, dễ hiểu - Phần 1

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 1:

Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi dẫn là

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Công thức tính năng lượng tiêu hao trong quá trình chuyển mạch bật của công tắc bán dẫn lý tưởng là \(W_{SWON} = \frac{1}{6} V.I.t_{swon}\), trong đó V là điện áp, I là dòng điện và t_swon là thời gian bật công tắc.

Câu 2:

Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi ngưng là

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Công tắc bán dẫn lý tưởng là công tắc có điện áp và dòng điện thay đổi tuyến tính trong quá trình chuyển mạch. Năng lượng tiêu hao trong quá trình tắt (khởi ngưng) được tính bằng công thức: \(W_{SWOFF} = \frac{1}{6} V.I.t_{swoff}\), trong đó V là điện áp, I là dòng điện, và t_swoff là thời gian tắt.

Câu 3:

Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, công suất tiêu tán trong một chu kỳ giao hoán là (C)

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Công suất tiêu tán trong một chu kỳ giao hoán của công tắc bán dẫn lý tưởng được tính bằng công thức: P_SW = (1/6)VI(t_swon + t_swoff)f, trong đó V là điện áp, I là dòng điện, t_swon là thời gian bật, t_swoff là thời gian tắt và f là tần số.

Câu 4:

Công suất thất thoát tổng cộng của một diode được tính (A)

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Công suất thất thoát tổng cộng của một diode bao gồm công suất tiêu thụ khi diode dẫn (ON), công suất tiêu thụ khi diode tắt (OFF) và công suất tiêu thụ do chuyển mạch (SW). Do đó, công thức tính tổng công suất thất thoát là P_T = P_ON + P_OFF + P_SW.

Câu 5:

Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Transistor công suất (BJT) được thiết kế để chịu được dòng điện lớn. Để đạt được điều này, nồng độ doping vùng phát phải cao. Đồng thời:

- Độ rộng vùng phát hẹp giúp giảm điện trở nền ký sinh (A đúng).

- Cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát giúp tăng diện tích tiếp xúc, tăng khả năng dẫn dòng và tản nhiệt (B đúng).

- Điện trở cực phát nhỏ cũng giúp giảm tổn thất công suất và tăng hiệu suất (C đúng).

Vì cả A, B và C đều đúng, nên đáp án đúng là D.

Câu 6:

Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) dẫn bão hòa sẽ là (A)

Lời giải: