Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất (B)

Có cấu trúc xen kẽ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn

Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là V-mosfet để cấp dòng lớn

Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn

Các câu A, B, C đều đúng

Trả lời:

Đáp án đúng: B

Mosfet công suất thường có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V (V-mosfet) để tăng diện tích kênh dẫn, từ đó cho phép dòng điện lớn chạy qua. Các tiếp giáp p-n trong MOSFET không trực tiếp quyết định khả năng cấp dòng lớn mà liên quan đến cấu trúc và hoạt động của transistor. Diện tích tiếp xúc vùng hiếm nhỏ không giúp cấp dòng lớn hơn mà ảnh hưởng đến điện dung ký sinh.

150+ câu hỏi trắc nghiệm Điện tử công suất giải thích đáp án ngắn gọn, dễ hiểu - Phần 1

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 10:

Năng lượng tổn hao của mosfet công suất sẽ là (B)

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Công thức tính năng lượng tổn hao do chuyển mạch của MOSFET công suất là: W_SW = (1/6) * V_DSmax * I_D * (t_swon + t_swoff), trong đó V_DSmax là điện áp tối đa giữa cực Drain và Source, I_D là dòng điện Drain, t_swon là thời gian bật và t_swoff là thời gian tắt.

Câu 11:

Công suất tổn hao tổng cộng của mosfet công suất là (A)

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Công suất tổn hao tổng cộng của MOSFET công suất bao gồm ba thành phần chính: công suất tiêu thụ khi MOSFET ở trạng thái bật (P_ON), công suất tiêu thụ khi MOSFET ở trạng thái tắt (P_OFF), và công suất tiêu thụ trong quá trình chuyển mạch (P_SW). Do đó, công thức tính công suất tổn hao tổng cộng là P_T = P_ON + P_OFF + P_SW.

Câu 12:

Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (Silicon Controlled Switch) (C)

Lời giải:

Đáp án đúng: C

SCS (Silicon Controlled Switch) là một loại thyristor có bốn lớp bán dẫn và bốn cực (Anode, Cathode, Gate Anode, Gate Cathode).

Để SCS dẫn (bật), ta cần cấp nguồn VAK dương (Anode dương so với Cathode) và kích một dòng điện vào cực Gate Cathode (GK). Dòng điện này kích hoạt thyristor, cho phép dòng điện chạy từ Anode sang Cathode.

Để SCS ngưng (tắt), ta có thể làm theo một trong các cách sau:

1. Giảm dòng điện Anode xuống dưới mức dòng điện duy trì (holding current).
2. Cấp một xung kích âm vào cực Gate Anode (GA). Xung kích này sẽ làm giảm điện áp giữa Anode và Cathode, khiến thyristor tắt.

Dựa vào các nguyên tắc trên, phương án C là đáp án chính xác.

Câu 13:

Trong các linh kiện sau đây, loại nào không có khả năng điều khiển công suất? (D)

Lời giải:

Đáp án đúng: D

DIAC (Diode for Alternating Current) là một diode hai cực hai chiều, được thiết kế để kích hoạt TRIAC. Nó không có khả năng điều khiển công suất trực tiếp, mà chỉ đơn giản là kích hoạt TRIAC khi điện áp vượt quá ngưỡng nhất định. Mosfet, TRIAC và THYRISTOR đều là các linh kiện bán dẫn có khả năng điều khiển công suất.

Câu 14:

Linh kiện nào sau đây là TRIAC? (D)

Lời giải:

Đáp án đúng: D

TRIAC là một linh kiện bán dẫn ba cực, được sử dụng để điều khiển dòng điện xoay chiều. Nó có thể được coi như hai SCR (Silicon Controlled Rectifier) mắc song song ngược chiều nhau và có chung một cực điều khiển (gate). Nhìn vào hình ảnh các linh kiện, ta thấy đáp án D là hình ảnh của TRIAC.

Câu 15:

SCR được phân cực thuận và kích bằng xung có độ rộng 1 µs thì: (C)

Lời giải: