Công suất thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là (C)

Mosfet công suất thường có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V (V-mosfet) để tăng diện tích kênh dẫn, từ đó cho phép dòng điện lớn chạy qua. Các tiếp giáp p-n trong MOSFET không trực tiếp quyết định khả năng cấp dòng lớn mà liên quan đến cấu trúc và hoạt động của transistor. Diện tích tiếp xúc vùng hiếm nhỏ không giúp cấp dòng lớn hơn mà ảnh hưởng đến điện dung ký sinh.

Công thức tính năng lượng tổn hao do chuyển mạch của MOSFET công suất là: W_SW = (1/6) * V_DSmax * I_D * (t_swon + t_swoff), trong đó V_DSmax là điện áp tối đa giữa cực Drain và Source, I_D là dòng điện Drain, t_swon là thời gian bật và t_swoff là thời gian tắt.

Công suất tổn hao tổng cộng của MOSFET công suất bao gồm ba thành phần chính: công suất tiêu thụ khi MOSFET ở trạng thái bật (P_ON), công suất tiêu thụ khi MOSFET ở trạng thái tắt (P_OFF), và công suất tiêu thụ trong quá trình chuyển mạch (P_SW). Do đó, công thức tính công suất tổn hao tổng cộng là P_T = P_ON + P_OFF + P_SW.

SCS (Silicon Controlled Switch) là một loại thyristor có bốn lớp bán dẫn và bốn cực (Anode, Cathode, Gate Anode, Gate Cathode).

Để SCS dẫn (bật), ta cần cấp nguồn VAK dương (Anode dương so với Cathode) và kích một dòng điện vào cực Gate Cathode (GK). Dòng điện này kích hoạt thyristor, cho phép dòng điện chạy từ Anode sang Cathode.

Để SCS ngưng (tắt), ta có thể làm theo một trong các cách sau:

1. Giảm dòng điện Anode xuống dưới mức dòng điện duy trì (holding current).
2. Cấp một xung kích âm vào cực Gate Anode (GA). Xung kích này sẽ làm giảm điện áp giữa Anode và Cathode, khiến thyristor tắt.

Dựa vào các nguyên tắc trên, phương án C là đáp án chính xác.

DIAC (Diode for Alternating Current) là một diode hai cực hai chiều, được thiết kế để kích hoạt TRIAC. Nó không có khả năng điều khiển công suất trực tiếp, mà chỉ đơn giản là kích hoạt TRIAC khi điện áp vượt quá ngưỡng nhất định. Mosfet, TRIAC và THYRISTOR đều là các linh kiện bán dẫn có khả năng điều khiển công suất.