Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế

Khi transistor BJT hoạt động ở chế độ bão hòa, điện áp collector-emitter (VCEbh) rất nhỏ, gần bằng 0. Công suất tiêu thụ trên transistor chủ yếu là do dòng điện collector (ICM) và dòng điện base (IB) gây ra. Do đó, công thức tính công suất thất thoát (PON) khi transistor dẫn bão hòa là PON = VCEbh * ICM + VBEbh * IB, trong đó VBEbh là điện áp base-emitter khi transistor bão hòa.

Công thức tính năng lượng thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là: W_SW = (1/6)V_CEM.I_CM(t_swon + t_swoff)

Công suất thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán bao gồm công suất tiêu thụ khi transistor ở trạng thái ON (P_ON), công suất tiêu thụ khi transistor ở trạng thái OFF (P_OFF), và năng lượng tiêu thụ trong quá trình chuyển mạch (W_SW) nhân với tần số chuyển mạch (f). Do đó, công thức đúng là: P_T = (P_ONt_on + P_OFFt_off + W_SW)f. Các đáp án khác không bao gồm đầy đủ các thành phần hoặc có dạng công thức không chính xác.

Mosfet công suất thường có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V (V-mosfet) để tăng diện tích kênh dẫn, từ đó cho phép dòng điện lớn chạy qua. Các tiếp giáp p-n trong MOSFET không trực tiếp quyết định khả năng cấp dòng lớn mà liên quan đến cấu trúc và hoạt động của transistor. Diện tích tiếp xúc vùng hiếm nhỏ không giúp cấp dòng lớn hơn mà ảnh hưởng đến điện dung ký sinh.

Công thức tính năng lượng tổn hao do chuyển mạch của MOSFET công suất là: W_SW = (1/6) * V_DSmax * I_D * (t_swon + t_swoff), trong đó V_DSmax là điện áp tối đa giữa cực Drain và Source, I_D là dòng điện Drain, t_swon là thời gian bật và t_swoff là thời gian tắt.