40 câu hỏi 50 phút
Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế:
Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh
Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát
Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ
Các câu a, b, c đều đúng
Transistor công suất (BJT) cần có khả năng chịu dòng điện lớn. Để đạt được điều này, nồng độ doping vùng phát phải cao, và transistor thường được thiết kế với:
a) Độ rộng vùng phát hẹp: Giúp giảm điện trở nền ký sinh, tăng tốc độ chuyển mạch và hiệu suất.
b) Cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure): Tăng diện tích tiếp xúc giữa cực nền và cực phát, giúp tản nhiệt tốt hơn và chịu dòng điện lớn hơn.
c) Điện trở cực phát nhỏ: Giảm tổn thất công suất và tăng hiệu suất.
Vì cả ba yếu tố trên đều đúng, nên đáp án chính xác là "Các câu a, b, c đều đúng".
Transistor công suất (BJT) cần có khả năng chịu dòng điện lớn. Để đạt được điều này, nồng độ doping vùng phát phải cao, và transistor thường được thiết kế với:
a) Độ rộng vùng phát hẹp: Giúp giảm điện trở nền ký sinh, tăng tốc độ chuyển mạch và hiệu suất.
b) Cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure): Tăng diện tích tiếp xúc giữa cực nền và cực phát, giúp tản nhiệt tốt hơn và chịu dòng điện lớn hơn.
c) Điện trở cực phát nhỏ: Giảm tổn thất công suất và tăng hiệu suất.
Vì cả ba yếu tố trên đều đúng, nên đáp án chính xác là "Các câu a, b, c đều đúng".
Mosfet công suất có những ưu điểm so với BJT công suất, trong đó quan trọng nhất là không có hiện tượng hủy thác thứ cấp (thermal runaway). Điều này có nghĩa là Mosfet có thể chịu được nhiệt độ cao hơn và có đặc tuyến ổn định hơn. Các phương án khác không chính xác vì Mosfet có tần số làm việc cao hơn, đáp ứng tần số tốt hơn và mạch thúc đơn giản hơn BJT công suất.