Kiến trúc SIMD (Single Instruction, Multiple Data) là kiến trúc xử lý song song, trong đó một lệnh duy nhất được thực hiện đồng thời trên nhiều dữ liệu khác nhau. Điều này cho phép tăng tốc đáng kể các tác vụ xử lý dữ liệu lớn và lặp đi lặp lại, như xử lý ảnh, video, và tính toán khoa học. Vì vậy, đáp án đúng là D.
Kiến trúc SIMD (Single Instruction, Multiple Data) là kiến trúc xử lý song song, trong đó một lệnh duy nhất được thực hiện đồng thời trên nhiều dữ liệu khác nhau. Điều này cho phép tăng tốc đáng kể các tác vụ xử lý dữ liệu lớn và lặp đi lặp lại, như xử lý ảnh, video, và tính toán khoa học. Vì vậy, đáp án đúng là D.
Tốc độ xử lý của CPU (Central Processing Unit - Bộ xử lý trung tâm) thường được đo bằng đơn vị Hertz (Hz), và các bội số của nó như Megahertz (MHz), Gigahertz (GHz). MHz và GHz cho biết số lượng chu kỳ xử lý mà CPU có thể thực hiện trong một giây. Do đó, đáp án B là đáp án chính xác.
Các lựa chọn khác không đúng vì: - Gigabyte (GB) và Megabyte (MB) là đơn vị đo dung lượng lưu trữ dữ liệu (ví dụ: dung lượng RAM, ổ cứng). - RPM (Revolutions Per Minute) là đơn vị đo tốc độ vòng quay, thường được dùng để chỉ tốc độ quay của ổ cứng hoặc quạt làm mát.
IC (Integrated Circuit) hay còn gọi là mạch tích hợp hoặc vi mạch, là một mạch điện tử thu nhỏ chứa nhiều linh kiện bán dẫn (như transistor, diode, điện trở, tụ điện) được tích hợp trên một đế bán dẫn nhỏ (thường là silicon).
* Phương án A: Sai. IC không liên quan trực tiếp đến việc tăng dung lượng bộ nhớ chính. * Phương án B: Đúng. Đây là định nghĩa chính xác nhất về IC. * Phương án C: Sai. IC không chỉ dành riêng cho CPU hiện đại mà còn được sử dụng rộng rãi trong nhiều loại thiết bị điện tử khác. * Phương án D: Sai. Mặc dù IC chứa các thiết bị điện tử, nhưng không nhất thiết phải là các thiết bị "đặc biệt". Định nghĩa "vi mạch chứa các linh kiện bán dẫn" chính xác và bao quát hơn.
Mạch chọn địa chỉ hàng và mạch chọn địa chỉ cột là hai thành phần cơ bản để xác định một ô nhớ duy nhất trong bộ nhớ. Sự kết hợp của hai mạch này tạo thành mạch tạo địa chỉ bộ nhớ, cho phép truy cập đến từng vị trí nhớ cụ thể.
Ô nhớ SRAM (Static Random Access Memory) được cấu tạo từ sáu transistor. Bốn transistor được sử dụng để tạo thành hai cổng logic đảo (inverter) mắc chéo nhau, tạo thành một flip-flop để lưu trữ dữ liệu. Hai transistor còn lại đóng vai trò là transistor truy cập (access transistors) để điều khiển việc đọc và ghi dữ liệu vào ô nhớ.