80+ câu trắc nghiệm Điện công suất
Với hơn 80+ câu trắc nghiệm môn Điện công suất có đáp án dành cho các bạn sinh viên Đại học - Cao đẳng ôn thi. Nội dung câu hỏi bao gồm những kiến thức về điện trở thực tế của dây dẫn, linh kiện điện tử, chất điện phân trong pin,,... Để ôn tập hiệu quả các bạn có thể ôn theo từng phần trong bộ câu hỏi này bằng cách trả lời các câu hỏi và xem lại đáp án và lời giải chi tiết. Sau đó các bạn hãy chọn tạo ra đề ngẫu nhiên để kiểm tra lại kiến thức đã ôn.
Chọn hình thức trắc nghiệm (15 câu/20 phút)
-
Câu 1:
Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất:
A. MOSFET
B. THYIRSTOR
C. TRIAC
D. DIAC
-
Câu 2:
Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):
A. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
B. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
C. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
D. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
-
Câu 3:
Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):
A. Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)
B. Tần số làm việc cao (vài kHz)
C. Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 µs )
D. Các phát biểu trên đều đúng
-
Câu 4:
Thời gian tích trử của diode là thời gian:
A. Diode có dòng giảm từ IF đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode
B. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch, số hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếm làm cho dòng điện thay đổi từ trị số 0 đến IRM
C. Diode có dòng giảm từ trị số 0 đến trị số IRM rồi lại trở về 0
D. Diode dòng IF = 0
-
Câu 5:
Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất:
A. Điện trở giửa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ )
B. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cở vài chục volt
C. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz)
D. Tất cả các câu a, b, c đều đúng
-
Câu 6:
Linh kiện công suất là linh kiện có:
A. Có hình dạng và kích thước lớn
B. Dễ ghép với nhôm tản nhiệt
C. Làm việc với dòng lớn, áp lớn
D. Cả a, b, c
-
Câu 7:
Triac là linh kiện bán dẫn có khả năng:
A. Dẫn dòng theo cả 2 chiều
B. Ứng dụng trong mạch công suất điều chỉnh điện áp DC
C. Tương đương với 2 SCR đấu song song
D. Tương đương với 2 SCR đấu ngược chiều nhau
-
Câu 8:
Bộ băm xung áp ở chế độ giảm áp có hệ số lắp đầy D ( tỉ số chu kỳ ):
A. D ≤ 0
B. 0 ≤ D ≤ 1
C. 0 ≤ D
D. 1 ≤ D
-
Câu 9:
Dòng điều khiển mở SCR:
A. Đi ra khỏi cực điều khiển
B. Đi vào cực điều khiển
C. Nhỏ hơn giá trị dòng điện nhỏ nhất
D. Lớn hơn giá trị dòng điện chảy qua SCR
-
Câu 10:
Phương pháp điều khiển nào của bộ biến đổi điện áp một chiều (DC-DC converter) có điện áp ngõ ra có thể lọc dễ dàng:
A. Phương pháp điều khiển với tần số đóng ngắt không đổi (f= const)
B. Phương pháp điều khiển theo dòng (Current control)
C. Phương pháp điều khiển pha (Phase control)
D. Phương pháp điều chế độ rộng xung sin (SPWM)
-
Câu 11:
Diode công suất ở trạng thái dẫn có điện áp VAK là:
A. 0,2 V
B. 0,3 V
C. 0,6 V
D. Lớn hơn 0,8 V
-
Câu 12:
Bộ nghịch lưu là bộ chuyển đổi DC sang AC có:
A. Dạng sóng ra bất kỳ
B. Tần số khác tần số điện khu vực
C. Dạng sóng ra tuần hoàn
D. Tất cả các câu a, b, c đều đúng
-
Câu 13:
Tín hiệu điều khiển SCR:
A. Là 1 xung dương
B. Là 1 xung âm
C. Là 1 xung bất kỳ
D. Là 1 xung dương có độ rộng định trước
-
Câu 14:
Diode là phần tử bán dẫn công suất cấu tạo bởi:
A. 1 lớp tiếp giáp p-n
B. 3 lớp tiếp giáp p-n
C. 2 lớp tiếp giáp p-n
D. 5 lớp tiếp giáp p-n
-
Câu 15:
Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng:
A. Dòng qua anode – cathode SCR nhỏ hơn giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục
B. Dòng qua anode – cathode SCR bằng giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục
C. Dòng qua anode – cathode SCR lớn hơn giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục
D. Tất cả đều sai