Để tránh vấn đề Offset trong mạch khuếch đại vi sai, người ta mắc thêm:

Cho mạch như hình 2-6. Tổng trở vào là:

Vật liệu phần nguồn (S) và phần máng (D) của MOSFET kênh cảm ứng loại N là:

Hai điện trở R₁, R₂ ghép nối tiếp, điện trở tương đương của chúng:

Transistor mắc kiểu cực phát chung được gọi là mắc kiểu:

Tọa độ điểm phân cực Q của BJT là:

Cho hai tụ điện giống nhau ghép song song. Sức cản tín hiệu xoay chiều của mạch ghép song song so với sức cản tín hiệu xoay chiều của mỗi tụ:

Băng thông -3dB, còn được gọi là:

Khi BJT dẫn điện thì:

Diode trong UJT có mấy tiếp giáp:

Trên đặc tuyến chuyển của JFET kênh N ta thấy:

Độ lợi công suất A_p:

MOSFET loại hiếm kênh N có cấu tạo khác MOSFET loại tăng kênh N:

Cho IC như hình 116:IC được đóng gói dạng:

Điện áp cần thiết đặt vào cực phát của UJT để nó dẫn điện gọi là:

Tụ điện liên lạc truyền tín hiệu do:

Hiệu điện thế giữa cực thoát và cực nguồn của MOSFET gọi là:

Tụ điện có điện dung C₁=100pF, C₂=47pF ghép song song. Điện dung tương đương của chúng là:

Mạch tương đương dùng tham số hydrid của BJT có:

​Băng thông độ lợi đơn vị, nghĩa là:

Cho IC như hình vẽ 113:IC được đóng gói dạng: