Trong đặc tính C-V, điện dung C_gs tại chế độ tuyến tính có giá trị như thế nào?

_{C. Cgs} = 2/3 C₀

Hiệu ứng body (body effect) trong MOSFET xảy ra khi điện áp giữa cực nguồn (source) và cực nền (body) khác không. Điều này làm thay đổi điện áp ngưỡng (threshold voltage) của transistor. Khi điện áp VSB tăng (VSB = Vsource - Vbody), điện áp ngưỡng VT cũng tăng theo. Sự tăng VT này dẫn đến việc transistor khó bật hơn, đòi hỏi điện áp cổng (gate) cao hơn để transistor dẫn điện. Điều này trực tiếp làm giảm dòng điện qua transistor, và do đó làm giảm hiệu năng (performance) của mạch. Các phương án khác không phản ánh đúng tác động của hiệu ứng body.

Quá trình etching trong VLSI (Very-Large-Scale Integration - tích hợp quy mô rất lớn) là quá trình loại bỏ chọn lọc các lớp vật liệu trên bề mặt wafer (đĩa bán dẫn) để tạo ra các cấu trúc và thành phần mạch điện tử theo thiết kế. Quá trình này sử dụng các chất hóa học (etchant) hoặc plasma để ăn mòn các khu vực không được bảo vệ bởi lớp mặt nạ (mask). Do đó:

• Phương án A không đúng vì sơn phủ lớp bảo vệ là một công đoạn khác, thường là trước khi etching.
• Phương án B không đúng vì làm mỏng wafer là một công đoạn khác, có mục đích khác.
• Phương án C đúng vì etching chính là quá trình tạo hình (etsa) các khu vực cần thiết trên wafer.
• Phương án D không đúng vì kiểm tra và đo lường là các công đoạn khác, thường được thực hiện sau etching để đảm bảo chất lượng.

Quá trình etching (khắc) trong VLSI (Very-Large-Scale Integration) là một kỹ thuật quan trọng được sử dụng để loại bỏ các vật liệu không mong muốn trên bề mặt wafer, từ đó tạo ra các cấu trúc và thành phần mạch điện tử. Dưới đây là phân tích chi tiết về ứng dụng của etching trong việc tạo ra các thành phần mạch:

1. Transistor MOSFET (A): Etching được sử dụng để xác định các vùng khác nhau của transistor MOSFET, chẳng hạn như cổng (gate), nguồn (source) và máng (drain). Quá trình này cho phép tạo ra các cấu trúc chính xác và kiểm soát kích thước của transistor.
2. Các lớp bảo vệ wafer (B): Etching được sử dụng để loại bỏ các lớp vật liệu bảo vệ sau khi chúng đã hoàn thành vai trò bảo vệ trong các bước xử lý trước đó. Điều này đảm bảo chỉ các vùng cần thiết mới còn lại trên wafer.
3. Các tuyến dẫn và kết nối giữa các thành phần (C): Etching được sử dụng để tạo ra các đường dẫn kim loại (metal lines) và các kết nối (vias) giữa các lớp khác nhau của mạch tích hợp. Điều này cho phép các thành phần giao tiếp và hoạt động cùng nhau.
4. Đèn LED (D): Mặc dù etching có thể được sử dụng trong quá trình sản xuất đèn LED, nhưng nó không phải là ứng dụng chính của etching trong VLSI. Đèn LED thường được sản xuất bằng các quy trình khác nhau, tập trung vào việc tạo ra các lớp bán dẫn phát quang.

Trong bối cảnh của VLSI, đáp án C (Các tuyến dẫn và kết nối giữa các thành phần) là đáp án chính xác nhất vì etching đóng vai trò then chốt trong việc tạo ra các kết nối điện giữa các transistor và các thành phần khác trên chip.