Đặc tính C-V trong VLSI được sử dụng để đo lường các thông số liên quan đến:

Trong VLSI (Very-Large-Scale Integration), quy tắc về kim loại được sử dụng chủ yếu để tạo ra các kết nối giữa các thành phần mạch khác nhau trên wafer. Các lớp kim loại này đóng vai trò như những đường dây dẫn điện, cho phép tín hiệu và nguồn điện di chuyển giữa các transistor, điện trở, tụ điện và các phần tử khác của mạch tích hợp. Do đó, đáp án chính xác là D. Kết nối kim loại giữa các thành phần mạch trên wafer.

Các lựa chọn khác không chính xác vì:

• A. Tạo hình các thành phần mạch trên wafer: Quá trình tạo hình các thành phần mạch sử dụng các kỹ thuật khác như quang khắc và khắc ăn mòn, không trực tiếp liên quan đến quy tắc kim loại.
• B. Tạo lớp bảo vệ trên wafer: Lớp bảo vệ thường được tạo bởi các vật liệu khác như oxit hoặc nitride, không phải kim loại.
• C. Kết nối giữa các lớp bảo vệ wafer: Kết nối giữa các lớp khác nhau (không chỉ lớp bảo vệ) có thể sử dụng kim loại, nhưng đây chỉ là một phần nhỏ trong ứng dụng rộng lớn hơn của kim loại trong VLSI.

Quá trình etching (khắc) trong sản xuất VLSI (Very-Large-Scale Integration) được sử dụng để loại bỏ các lớp vật liệu không mong muốn trên bề mặt wafer, từ đó tạo ra các hình dạng và cấu trúc cần thiết cho các thành phần mạch (transistor, điện trở, tụ điện, đường dẫn...). Quá trình này cho phép định hình chính xác các chi tiết của mạch điện trên wafer bán dẫn. Các phương án khác không mô tả đúng mục đích chính của etching:

• A. Làm mỏng wafer: Quá trình làm mỏng wafer có thể được thực hiện bằng các phương pháp khác như grinding hoặc polishing, không phải etching.
• B. Làm dày wafer: Etching là quá trình loại bỏ vật liệu, không phải thêm vật liệu để làm dày wafer.
• D. Tạo bảo vệ bề mặt wafer: Mặc dù một số quy trình etching có thể liên quan đến việc tạo lớp bảo vệ tạm thời (ví dụ, sử dụng mask), mục đích chính của etching không phải là bảo vệ bề mặt wafer nói chung.