Quá trình etching trong VLSI có thể dùng để tạo ra các khu vực trên wafer có kích thước như thế nào?

A. Chỉ từ vài micromet đến vài milimet

B. Chỉ từ vài nanomet đến vài micromet

C. Từ vài nanomet đến vài micromet và có thể thậm chí lớn hơn

D. Chỉ từ vài picomet đến vài nanomet

Trả lời:

Đáp án đúng: C

Quá trình etching trong VLSI (Very-Large-Scale Integration) được sử dụng để loại bỏ vật liệu không mong muốn trên wafer, tạo ra các cấu trúc và khu vực với kích thước khác nhau. Các khu vực này có thể nhỏ đến vài nanomet để tạo ra các transistor và các thành phần khác, hoặc lớn hơn đến vài micromet để kết nối các thành phần này lại với nhau. Đôi khi, etching còn được dùng cho các khu vực lớn hơn. Do đó, đáp án chính xác nhất là C.

100+ câu hỏi trắc nghiệm Thiết kế VLSI kèm đáp án và lời giải minh họa - Phần 3

31 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 23:

Quá trình photoresist trong VLSI là gì?

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Quá trình photoresist trong VLSI (Very-Large-Scale Integration) là một bước quan trọng trong quá trình sản xuất mạch tích hợp. Nó liên quan đến việc sử dụng một lớp vật liệu nhạy sáng (photoresist) để tạo ra một mẫu (pattern) trên bề mặt wafer silicon. Mục đích chính là để bảo vệ các khu vực nhất định trên wafer trong quá trình khắc (etching) hoặc cấy ion (ion implantation). * **Đáp án A:** Mô tả quá trình sơn phủ lớp bảo vệ lên wafer, nhưng không đầy đủ. Photoresist *là* một lớp bảo vệ, nhưng quá trình này phức tạp hơn việc chỉ sơn phủ. * **Đáp án B:** Mô tả quá trình làm mỏng wafer, không liên quan trực tiếp đến photoresist. * **Đáp án C:** Mô tả đúng chức năng của quá trình photoresist. Nó tạo ra các khu vực được xác định trên wafer để tạo thành các thành phần mạch. * **Đáp án D:** Mô tả quá trình kiểm tra, không liên quan đến photoresist. Vì vậy, đáp án đúng nhất là C: Quá trình tạo hình các khu vực trên wafer để tạo thành các thành phần mạch.

Câu 24:

Quá trình diffusion là gì trong VLSI?

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Quá trình diffusion (khuếch tán) trong VLSI (Very-Large-Scale Integration) là quá trình đưa các tạp chất (dopant) vào wafer bán dẫn để tạo ra các vùng doped (vùng pha tạp). Các vùng doped này được sử dụng để tạo thành các thành phần của mạch điện tử, chẳng hạn như transistor (MOSFET), diode và điện trở. Đáp án C là đáp án chính xác nhất.

Câu 25:

Triple-well và twin-well giúp giải quyết vấn đề gì trong mạch tích hợp?

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Triple-well và twin-well là các kỹ thuật được sử dụng trong chế tạo mạch tích hợp CMOS để cải thiện hiệu suất và giảm thiểu các vấn đề liên quan đến hiệu ứng body. Hiệu ứng body xảy ra khi điện áp giữa nguồn và chất nền của một transistor MOSFET thay đổi điện áp ngưỡng của transistor đó. Điều này có thể dẫn đến sự thay đổi không mong muốn trong hoạt động của mạch. Triple-well và twin-well giúp cô lập các transistor khác nhau trên chip, từ đó giảm thiểu hiệu ứng body và cải thiện hiệu suất tổng thể của mạch. Các lựa chọn khác không đúng vì: - Hiệu ứng kênh dài: Liên quan đến các transistor có chiều dài kênh lớn, không phải là vấn đề chính được giải quyết bởi triple-well và twin-well. - Hiệu ứng photoresist: Liên quan đến quá trình quang khắc trong sản xuất, không liên quan trực tiếp đến triple-well và twin-well. - Hiệu ứng diffusion: Liên quan đến sự khuếch tán của các tạp chất trong chất bán dẫn, không phải là vấn đề chính được giải quyết bởi triple-well và twin-well.

Câu 26:

Tụ điện là gì trong thiết kế VLSI?

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Tụ điện là một thành phần bán dẫn quan trọng trong thiết kế VLSI (Very-Large-Scale Integration), được sử dụng để lưu trữ điện tích tạm thời. Nó hoạt động như một bộ nhớ tạm thời, giữ lại điện tích và sau đó giải phóng nó khi cần thiết trong mạch. Điều này khác với bộ nhớ dài hạn (ví dụ: ROM, Flash memory) được đề cập ở đáp án A. Các bán dẫn kiểm soát dòng điện thường là transistor (đáp án B). Diffusion là một quy trình sản xuất (đáp án C).

Câu 27:

SOI giúp giải quyết vấn đề gì trong VLSI?

Lời giải:

Đáp án đúng: D

SOI (Silicon on Insulator) là công nghệ sử dụng một lớp vật liệu cách điện (thường là silicon dioxide) giữa lớp silicon hoạt động và lớp nền silicon. Điều này giúp giảm điện dung ký sinh, đặc biệt là điện dung của lớp tiếp giáp giữa nguồn/máng và lớp nền. Việc giảm điện dung ký sinh này giúp cải thiện tốc độ chuyển mạch của transistor và giảm tiêu thụ năng lượng. * **A. Hiệu ứng body:** SOI giúp giảm hiệu ứng body do lớp cách điện ngăn cách body với nền, làm cho điện thế body ít bị ảnh hưởng bởi điện thế nguồn. * **B. Hiệu ứng kênh dài:** SOI không trực tiếp giải quyết hiệu ứng kênh dài. Hiệu ứng kênh dài liên quan đến việc kênh dẫn điện bị ảnh hưởng bởi điện thế máng khi chiều dài kênh lớn. * **C. Hiệu ứng kim loại (metal gate effect):** Đây không phải là một vấn đề chính mà SOI giải quyết. Loại vật liệu cổng (metal gate) được sử dụng để cải thiện hiệu năng, nhưng không liên quan trực tiếp đến lợi ích của SOI. * **D. Hiệu ứng trễ đầu vào (input delay effect):** SOI gián tiếp giảm trễ đầu vào bằng cách giảm điện dung ký sinh, tuy nhiên hiệu ứng body được giải quyết trực tiếp hơn. Vì vậy, đáp án chính xác nhất là A: Hiệu ứng body

Câu 28:

Nhược điểm của SOI là gì?

Lời giải: