Các biện pháp để giảm hiệu ứng body trong mạch MOSFET bao gồm:

Hiệu ứng body (body effect) trong MOSFET xảy ra do sự khác biệt điện thế giữa source và bulk (substrate) của transistor, làm thay đổi điện áp ngưỡng (threshold voltage) của transistor. Điều này ảnh hưởng đến dòng điện kênh và hiệu suất của mạch.

Các biện pháp để giảm hiệu ứng body:

• Kết nối bulk với source: Đây là cách đơn giản và hiệu quả nhất. Khi bulk và source được nối với nhau, điện thế giữa chúng bằng 0, loại bỏ hiệu ứng body. Trong các thiết kế mạch tích hợp, thường bulk của NMOS được nối với mass (GND) và bulk của PMOS được nối với VDD.
• Sử dụng transistor có điện áp ngưỡng thấp: Transistor có điện áp ngưỡng thấp ít bị ảnh hưởng bởi sự thay đổi điện áp bulk. Tuy nhiên, điều này có thể làm tăng dòng rò.
• Tăng doping của kênh: Tăng nồng độ doping của kênh có thể làm giảm ảnh hưởng của điện áp bulk lên điện áp ngưỡng. Tuy nhiên, điều này có thể ảnh hưởng đến các đặc tính khác của transistor.

Trong các lựa chọn đã cho:

• A. Tăng kích thước transistor: Kích thước transistor không trực tiếp ảnh hưởng đến hiệu ứng body.
• B. Sử dụng điện trở kết nối cổng và nguồn: Điện trở giữa cổng và nguồn không liên quan đến hiệu ứng body.
• C. Giảm kích thước transistor: Kích thước transistor không trực tiếp ảnh hưởng đến hiệu ứng body.
• D. Không có biện pháp nào để giảm hiệu ứng body: Đây là một tuyên bố sai, vì có nhiều biện pháp để giảm thiểu hiệu ứng body như đã đề cập ở trên.

Vì vậy, không có đáp án nào trong các lựa chọn trên thực sự là một biện pháp trực tiếp để giảm hiệu ứng body. Tuy nhiên, trong thực tế, việc thiết kế mạch thường bao gồm các biện pháp giảm thiểu tác động của hiệu ứng body đến hiệu suất mạch.