Quá trình p-well là gì trong VLSI?

Trong công nghệ VLSI (Very-Large-Scale Integration), quá trình p-well (hoặc n-well) là một bước quan trọng để tạo ra các vùng riêng biệt trên wafer bán dẫn, nơi các transistor sẽ được chế tạo. Mục đích chính là tạo ra một vùng có loại doping ngược với chất nền (substrate) ban đầu.

Trong trường hợp p-well, chúng ta tạo ra một vùng trên wafer có loại doping p (điện tích dương) trên một chất nền loại n (điện tích âm). Điều này cho phép chúng ta chế tạo các transistor NMOS (N-channel MOSFET) bên trong vùng p-well này. Các transistor PMOS (P-channel MOSFET) sẽ được chế tạo trực tiếp trên chất nền loại n.

Tương tự, n-well sẽ tạo ra một vùng có loại doping n trên một chất nền loại p, cho phép chế tạo các transistor PMOS bên trong n-well.

Như vậy, đáp án đúng là:

B. Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích dương trên wafer

Các đáp án khác không chính xác vì:

• Đáp án A nói về điện tích âm, trong khi p-well phải là điện tích dương.
• Đáp án C nói về lỗ giếng không doped, điều này không đúng vì p-well cần được doped với chất bán dẫn loại p.
• Đáp án D nói về việc làm mỏng wafer, đây là một quy trình khác trong sản xuất VLSI nhưng không liên quan trực tiếp đến việc tạo p-well.