Phương pháp etsa nào được sử dụng phổ biến nhất trong quá trình etching trong VLSI?

Trong công nghệ VLSI (Very-Large-Scale Integration), quá trình p-well (hoặc n-well) là một bước quan trọng để tạo ra các vùng riêng biệt trên wafer bán dẫn, nơi các transistor sẽ được chế tạo. Mục đích chính là tạo ra một vùng có loại doping ngược với chất nền (substrate) ban đầu.

Trong trường hợp p-well, chúng ta tạo ra một vùng trên wafer có loại doping p (điện tích dương) trên một chất nền loại n (điện tích âm). Điều này cho phép chúng ta chế tạo các transistor NMOS (N-channel MOSFET) bên trong vùng p-well này. Các transistor PMOS (P-channel MOSFET) sẽ được chế tạo trực tiếp trên chất nền loại n.

Tương tự, n-well sẽ tạo ra một vùng có loại doping n trên một chất nền loại p, cho phép chế tạo các transistor PMOS bên trong n-well.

Như vậy, đáp án đúng là:

B. Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích dương trên wafer

Các đáp án khác không chính xác vì:

• Đáp án A nói về điện tích âm, trong khi p-well phải là điện tích dương.
• Đáp án C nói về lỗ giếng không doped, điều này không đúng vì p-well cần được doped với chất bán dẫn loại p.
• Đáp án D nói về việc làm mỏng wafer, đây là một quy trình khác trong sản xuất VLSI nhưng không liên quan trực tiếp đến việc tạo p-well.

Trong công nghệ VLSI, twin-well và triple-well là hai cấu trúc giếng (well) khác nhau được sử dụng để cải thiện hiệu suất và giảm nhiễu. Twin-well (giếng đôi) sử dụng cả n-well và p-well trên cùng một chất nền, cho phép tối ưu hóa các transistor NMOS và PMOS một cách độc lập. Triple-well (giếng ba) tiến xa hơn bằng cách thêm một giếng sâu (deep well) bên dưới các giếng n và p. Giếng sâu này thường là một giếng p (p-well) được tạo trong chất nền n (n-substrate) hoặc ngược lại, và nó giúp cách ly các mạch số và tương tự, giảm nhiễu xuyên kênh và cải thiện khả năng chịu latch-up.

Do đó, đáp án A mô tả đúng sự khác biệt cơ bản giữa twin-well và triple-well.