Wafer có hình dạng như thế nào?

Cầu

Trụ

Đĩa phẳng và mỏng

Hình lục giác

Trả lời:

Đáp án đúng: C

Wafer là một tấm bán dẫn mỏng, thường có hình dạng đĩa tròn, được sử dụng trong sản xuất các vi mạch tích hợp. Do đó, đáp án chính xác là "Đĩa phẳng và mỏng".

100+ câu hỏi trắc nghiệm Thiết kế VLSI kèm đáp án và lời giải minh họa - Phần 2

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 37:

Phương pháp etsa nào được sử dụng phổ biến nhất trong quá trình etching trong VLSI?

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Trong công nghệ VLSI (Very-Large-Scale Integration), etsa plasma (Plasma Etching) là phương pháp được sử dụng phổ biến nhất. Lý do là vì etsa plasma cho phép kiểm soát quá trình etsa một cách chính xác hơn, tạo ra các đặc tính có kích thước nhỏ và độ đồng đều cao, điều mà các phương pháp etsa khác khó đạt được. Etsa hóa học (Chemical Etching) thường isotropic (etsa theo mọi hướng), không phù hợp với các cấu trúc nhỏ và phức tạp của VLSI. Etsa điện hóa (Electrochemical Etching) và etsa laser (Laser Etching) ít được sử dụng hơn trong VLSI so với etsa plasma.

Câu 38:

Quá trình photoresist được sử dụng để làm gì trong VLSI?

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Photoresist là một vật liệu nhạy cảm với ánh sáng được sử dụng trong quá trình sản xuất vi mạch (VLSI). Quá trình photoresist bao gồm các bước như phủ photoresist lên wafer, chiếu xạ qua mặt nạ (mask) chứa hình ảnh của mạch, và sau đó loại bỏ phần photoresist đã tiếp xúc (hoặc không tiếp xúc, tùy thuộc vào loại photoresist) để tạo ra một khuôn mẫu (pattern) trên wafer. Khuôn mẫu này sau đó được sử dụng để khắc (etch) hoặc cấy ion (ion implantation) vào wafer, tạo ra các thành phần mạch. Do đó, đáp án đúng là A: Tạo hình các thành phần mạch trên wafer.

Câu 39:

Photoresist là gì trong quá trình photoresist trong VLSI?

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Photoresist là một vật liệu nhạy cảm với ánh sáng được sử dụng trong quá trình quang khắc (photolithography) trong sản xuất vi mạch VLSI. Nó được phủ lên bề mặt wafer, sau đó được chiếu sáng thông qua một mặt nạ (mask) để tạo ra một mẫu (pattern). Các phần của photoresist tiếp xúc với ánh sáng sẽ thay đổi tính chất hóa học (trở nên hòa tan hoặc không hòa tan, tùy thuộc vào loại photoresist là positive hay negative). Sau đó, một dung dịch phát triển (developer) được sử dụng để loại bỏ các phần photoresist đã bị thay đổi, để lại một mẫu trên wafer. Vì vậy, đáp án đúng là chất sơn phủ lên wafer.

Câu 40:

Quá trình n-well là gì trong VLSI?

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Quá trình n-well (giếng n) là một kỹ thuật quan trọng trong chế tạo mạch tích hợp VLSI (Very-Large-Scale Integration). Trong quá trình này, một vùng bán dẫn loại n (doped với điện tích âm) được tạo ra trên một nền bán dẫn loại p (hoặc ngược lại, tạo vùng p-well trên nền loại n). Mục đích chính của việc tạo n-well là để cách ly các transistor loại pMOS (p-channel MOSFET) khỏi nền, cho phép chúng hoạt động độc lập và tránh các vấn đề về điện áp ngược và ký sinh.

* Đáp án A đúng: Quá trình n-well là quá trình tạo ra các vùng (giếng) được doped bằng vật liệu loại n (điện tích âm) trên một wafer bán dẫn.
* Đáp án B sai: Đây là mô tả của quá trình p-well.
* Đáp án C sai: Các giếng luôn được doped để tạo ra vùng bán dẫn loại n hoặc p.
* Đáp án D sai: Đây là một quy trình khác trong sản xuất wafer, không liên quan trực tiếp đến việc tạo n-well.

Câu 41:

Quá trình p-well là gì trong VLSI?

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Trong công nghệ VLSI (Very-Large-Scale Integration), quá trình p-well (hoặc n-well) là một bước quan trọng để tạo ra các vùng riêng biệt trên wafer bán dẫn, nơi các transistor sẽ được chế tạo. Mục đích chính là tạo ra một vùng có loại doping ngược với chất nền (substrate) ban đầu.

Trong trường hợp p-well, chúng ta tạo ra một vùng trên wafer có loại doping p (điện tích dương) trên một chất nền loại n (điện tích âm). Điều này cho phép chúng ta chế tạo các transistor NMOS (N-channel MOSFET) bên trong vùng p-well này. Các transistor PMOS (P-channel MOSFET) sẽ được chế tạo trực tiếp trên chất nền loại n.

Tương tự, n-well sẽ tạo ra một vùng có loại doping n trên một chất nền loại p, cho phép chế tạo các transistor PMOS bên trong n-well.

Như vậy, đáp án đúng là:

B. Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích dương trên wafer

Các đáp án khác không chính xác vì:

Đáp án A nói về điện tích âm, trong khi p-well phải là điện tích dương.
Đáp án C nói về lỗ giếng không doped, điều này không đúng vì p-well cần được doped với chất bán dẫn loại p.
Đáp án D nói về việc làm mỏng wafer, đây là một quy trình khác trong sản xuất VLSI nhưng không liên quan trực tiếp đến việc tạo p-well.

Câu 42:

Triple-well và twin-well có sự khác biệt như thế nào?

Lời giải: