Hiệu ứng kênh dài thường xảy ra trong các mạch tích hợp với kích thước kênh trở nên:

A. Nhỏ hơn

B. Lớn hơn

C. Bằng

D. Nhưng không ảnh hưởng đến kích thước kênh

Trả lời:

Đáp án đúng: B

Hiệu ứng kênh dài (long-channel effects) trở nên đáng kể hơn khi kích thước kênh của các transistor trong mạch tích hợp tăng lên. Khi chiều dài kênh lớn, các hiệu ứng như điều biến độ dài kênh (channel-length modulation) và các hiệu ứng điện trường ngang (lateral field effects) trở nên rõ rệt hơn, ảnh hưởng đến đặc tính của transistor. Do đó, đáp án đúng là B. Lớn hơn. Các lựa chọn khác không đúng vì: * A. Nhỏ hơn: Khi kích thước kênh nhỏ hơn, hiệu ứng kênh ngắn (short-channel effects) mới trở nên quan trọng. * C. Bằng: Không có ý nghĩa cụ thể trong ngữ cảnh này. * D. Nhưng không ảnh hưởng đến kích thước kênh: Mâu thuẫn với định nghĩa hiệu ứng kênh dài.

100+ câu hỏi trắc nghiệm Thiết kế VLSI kèm đáp án và lời giải minh họa - Phần 1

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 37:

Các biện pháp để giảm hiệu ứng kênh dài bao gồm:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Hiệu ứng kênh dài (long-channel effects) xảy ra khi chiều dài kênh của MOSFET lớn hơn nhiều so với chiều dài khuếch tán (diffusion length). Trong trường hợp này, các tính chất lý tưởng của MOSFET không còn đúng nữa, và các hiệu ứng thứ cấp trở nên đáng kể. Để giảm hiệu ứng kênh dài, ta cần giảm kích thước kênh mạch. Khi kích thước kênh giảm, các hiệu ứng kênh ngắn (short-channel effects) sẽ trở nên quan trọng hơn, nhưng đó là một vấn đề khác cần giải quyết bằng các kỹ thuật khác. * **A. Tăng kích thước kênh mạch:** Làm tăng thêm các hiệu ứng kênh dài, do đó không phải là biện pháp giảm. * **B. Giảm kích thước kênh mạch:** Giúp giảm hiệu ứng kênh dài bằng cách làm cho các hiệu ứng này ít quan trọng hơn so với các hiệu ứng khác. * **C. Sử dụng các kỹ thuật kỹ thuật số phức tạp hơn:** Không trực tiếp ảnh hưởng đến các hiệu ứng kênh dài. Các kỹ thuật kỹ thuật số có thể giúp bù đắp cho các hiệu ứng này, nhưng không giảm chúng. * **D. Sử dụng các kỹ thuật kỹ thuật số phức tạp hơn:** Tương tự như đáp án C, không trực tiếp giảm hiệu ứng kênh dài. Vậy đáp án đúng là B.

Câu 38:

Đặc tính C-V trong VLSI đo lường mối quan hệ giữa hai thông số nào sau đây?

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Phân tích câu hỏi: Câu hỏi này kiểm tra kiến thức về đặc tính C-V trong lĩnh vực VLSI (Very-Large-Scale Integration), cụ thể là mối quan hệ giữa các thông số điện học. Đặc tính C-V (Capacitance-Voltage) là một phương pháp đo lường quan trọng để xác định các thông số của các thiết bị bán dẫn, đặc biệt là MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Đánh giá các phương án: * **Phương án A: Cường độ ánh sáng và điện áp:** Không liên quan đến đặc tính C-V. Cường độ ánh sáng thường liên quan đến các thiết bị quang điện. Loại. * **Phương án B: Điện dung và dòng điện:** Dòng điện có thể thay đổi theo điện dung nhưng đặc tính C-V không trực tiếp đo mối quan hệ giữa điện dung và dòng điện. Loại. * **Phương án C: Điện dung và điện áp:** Đây là đáp án chính xác. Đặc tính C-V đo sự thay đổi của điện dung (C) theo điện áp (V) đặt vào thiết bị. Thông qua việc phân tích đường cong C-V, ta có thể xác định nhiều thông số quan trọng của thiết bị như điện áp ngưỡng, nồng độ tạp chất, và chất lượng của lớp oxide. Chọn. * **Phương án D: Dòng điện và điện áp:** Đặc tính I-V (dòng điện - điện áp) mô tả mối quan hệ giữa dòng điện và điện áp, thường được dùng để xác định các thông số khác như điện trở, độ dẫn điện, nhưng không phải là đặc tính C-V. Loại. Vậy đáp án đúng là C.

Câu 39:

Trong đặc tính C-V, điện dung C_gs tại chế độ tuyến tính có giá trị như thế nào?

_{C. C}_gs = 2/3 C₀

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Điện dung Cgs trong đặc tính C-V ở chế độ tuyến tính có giá trị bằng C0. Điều này xuất phát từ việc kênh dẫn hình thành hoàn toàn, và điện dung cổng-nguồn (gate-source) đạt giá trị cực đại của nó, xấp xỉ bằng điện dung oxide cổng (gate oxide capacitance). Do đó, đáp án D là chính xác.

Câu 40:

Hiệu ứng body là gì?

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Hiệu ứng body (body effect) là hiện tượng mà điện áp ngưỡng (threshold voltage) của transistor MOSFET bị thay đổi do sự khác biệt điện áp giữa bulk (thân) và source (nguồn). Khi cổng và nguồn không được nối chung, điện áp giữa bulk và source khác không, điều này ảnh hưởng đến điện áp ngưỡng cần thiết để transistor dẫn điện. Do đó, đáp án C là chính xác nhất.

Câu 41:

Quy tắc transistor là gì trong VLSI?

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Quy tắc transistor trong VLSI (Very-Large-Scale Integration) đề cập đến các quy tắc và nguyên tắc vận hành của transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). MOSFET là loại transistor phổ biến nhất được sử dụng trong thiết kế VLSI do kích thước nhỏ, tiêu thụ điện năng thấp và khả năng tích hợp cao. Các quy tắc này chi phối cách các transistor MOSFET được thiết kế và bố trí trên chip để đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy tối ưu. Các lựa chọn khác không đúng vì: - BJT (Bipolar Junction Transistor) ít được sử dụng trong VLSI do tiêu thụ điện năng cao hơn và kích thước lớn hơn so với MOSFET. - JFET (Junction Field-Effect Transistor) cũng ít phổ biến hơn MOSFET trong VLSI. - GaAs (Gallium Arsenide) là một vật liệu bán dẫn, nhưng quy tắc transistor không cụ thể cho vật liệu này.

Câu 42:

Hiệu ứng body có thể gây ra vấn đề gì trong mạch MOSFET?

Lời giải: