Điều gì quyết định mật độ tích hợp VLSI trên một chip bán dẫn?

Hình ảnh trong câu hỏi mô tả công nghệ đóng gói QFP (Quad Flat Package). Đây là một loại vỏ linh kiện điện tử hình chữ nhật hoặc vuông, có các chân dẫn điện (pins) mọc ra từ cả bốn cạnh. Các chân này thường được uốn cong ra phía ngoài để dễ dàng hàn lên bề mặt mạch in (PCB). Vì vậy đáp án đúng là C.

A. DIP (Dual In-line Package): Là công nghệ đóng gói có hai hàng chân song song nhau.

B. SMD (Surface Mount Device): Là công nghệ gắn linh kiện trực tiếp lên bề mặt mạch in, không có chân cắm xuyên qua lỗ.

D. QFN (Quad Flat No-leads): Là công nghệ đóng gói tương tự QFP nhưng không có chân chì ra, thay vào đó là các miếng đồng tiếp xúc trực tiếp với mạch in.

Quá trình photolithography (khắc quang) là một kỹ thuật được sử dụng trong sản xuất vi điện tử để tạo ra các mẫu trên bề mặt của một wafer (tấm bán dẫn). Bước đầu tiên trong quá trình này là phủ một lớp vật liệu nhạy sáng gọi là photoresist (hoặc resist) lên bề mặt của wafer. Lớp photoresist này sẽ thay đổi tính chất hóa học khi tiếp xúc với ánh sáng, cho phép tạo ra các mẫu mong muốn sau khi chiếu sáng và xử lý hóa học.

Các lựa chọn khác không phải là bước đầu tiên trong quá trình photolithography:

• Đánh bóng bề mặt wafer thường được thực hiện trước khi bắt đầu quá trình photolithography để đảm bảo bề mặt wafer phẳng và sạch.
• Tạo các mạch mỏng trên wafer là mục tiêu của quá trình photolithography, nhưng nó không phải là bước đầu tiên.
• Cắt wafer thành các chip nhỏ là bước cuối cùng của quá trình sản xuất, sau khi tất cả các lớp mạch đã được tạo ra trên wafer.

Kỹ thuật E-Beam (Electron Beam Lithography) sử dụng chùm electron để vẽ trực tiếp lên bề mặt vật liệu, cho phép tạo ra các chi tiết cực kỳ nhỏ với độ phân giải cao hơn nhiều so với photolithography truyền thống. Photolithography truyền thống sử dụng ánh sáng (thường là UV) và mặt nạ (mask) để chiếu hình ảnh lên vật liệu. Do giới hạn về bước sóng của ánh sáng và độ chính xác của mặt nạ, độ phân giải của photolithography bị giới hạn. Do đó, ưu điểm chính của E-Beam là khả năng tạo ra các chi tiết nhỏ hơn với độ chính xác cao hơn.

Các lựa chọn khác không chính xác vì:

• A. Hiệu suất sản xuất của E-Beam thấp hơn nhiều so với photolithography.
• B. Chi phí của E-Beam cao hơn đáng kể so với photolithography.
• D. Cả E-Beam và photolithography đều có thể sử dụng các nguồn "ánh sáng" khác nhau, nhưng E-Beam không bị giới hạn bởi bước sóng như photolithography.