BJT có cấu tạo gồm:

Một mối nối P-N

Hai mối nối P-N

Ba mối nối P-N

Bốn mối nối P-N

Trả lời:

Đáp án đúng: C

BJT (Bipolar Junction Transistor) là một loại transistor lưỡng cực, được cấu tạo từ hai mối nối P-N (P-N junction). Các mối nối này tạo ra hai vùng chuyển tiếp giữa các lớp bán dẫn loại P và loại N. Do đó, đáp án đúng là B.

300+ câu hỏi trắc nghiệm Linh kiện điện tử có lời giải minh họa - Phần 2

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 27:

Transistor mắc kiểu cực nền chung được gọi là mắc kiểu:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Trong mạch transistor, kiểu mắc cực nền chung (Common Base) được ký hiệu là CB. Các kiểu mắc khác bao gồm cực phát chung (Common Emitter - CE) và cực thu chung (Common Collector - CC).

Câu 28:

Khi transistor dẫn điện có dòng:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Khi transistor dẫn điện, dòng điện emitter (IE) là tổng của dòng điện collector (IC) và dòng điện base (IB). Do đó, IE là lớn nhất, IC lớn hơn IB. Vậy IE > IC > IB.

Câu 29:

Mạch tương đương dùng tham số hydrid của BJT có:

Lời giải:

Đáp án đúng: a

Trong mạch tương đương tham số hybrid của BJT:
- hie (hay h_ie) là điện trở vào (input resistance) của transistor khi cấu hình E chung.
- hfe (hay h_fe) là hệ số khuếch đại dòng điện (current gain) khi cấu hình E chung.
- hre (hay h_re) là hệ số điện áp ngược (reverse voltage gain), biểu thị ảnh hưởng của điện áp ra đến điện áp vào.
- hoe (hay h_oe) là dẫn nạp ra (output admittance), nghịch đảo của tổng trở ra.

Như vậy, câu A và B đúng. Câu C sai vì hre không phải là tổng trở ra mà là hệ số điện áp ngược. Câu D đúng vì câu C sai. Do đó, đáp án D là đáp án chính xác nhất.

Câu 30:

Trên đặc tuyến chuyển của JFET kênh N ta thấy:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Trong JFET kênh N, điện áp VGS (điện áp cổng - nguồn) điều khiển dòng ID (dòng máng). Khi VGS càng âm, miền nghèo (depletion region) càng mở rộng, làm hẹp kênh dẫn điện giữa máng và nguồn, do đó làm giảm dòng ID. Khi VGS = 0V, ID đạt giá trị cực đại, gọi là IDSS (dòng máng bão hòa với cổng nối tắt). Vì vậy, đáp án C là chính xác nhất.

Câu 31:

Hiệu điện thế giữa cực thoát và cực nguồn của MOSFET gọi là:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Hiệu điện thế giữa cực thoát (Drain) và cực nguồn (Source) của MOSFET được ký hiệu là VDS. VGS là hiệu điện thế giữa cực cổng (Gate) và cực nguồn (Source), VBE là hiệu điện thế giữa cực bazơ (Base) và cực emitter (Emitter) của transistor BJT, VCE là hiệu điện thế giữa cực collector (Collector) và cực emitter (Emitter) của transistor BJT.

Câu 32:

DIAC là một linh kiện:

Lời giải: