Trả lời:
Đáp án đúng: D
Hiệu điện thế giữa cực thoát (Drain) và cực nguồn (Source) của MOSFET được ký hiệu là VDS. VGS là hiệu điện thế giữa cực cổng (Gate) và cực nguồn (Source), VBE là hiệu điện thế giữa cực bazơ (Base) và cực emitter (Emitter) của transistor BJT, VCE là hiệu điện thế giữa cực collector (Collector) và cực emitter (Emitter) của transistor BJT.