Mạch tương đương dùng tham số hydrid của BJT có:

hie là tổng trở vào

hfe là hệ số khuếch đại dòng

hre là tổng trở ra

Chỉ có câu c sai

Trả lời:

Đáp án đúng:

Trong mạch tương đương tham số hybrid của BJT: - hie (hay h_ie) là điện trở vào (input resistance) của transistor khi cấu hình E chung. - hfe (hay h_fe) là hệ số khuếch đại dòng điện (current gain) khi cấu hình E chung. - hre (hay h_re) là hệ số điện áp ngược (reverse voltage gain), biểu thị ảnh hưởng của điện áp ra đến điện áp vào. - hoe (hay h_oe) là dẫn nạp ra (output admittance), nghịch đảo của tổng trở ra. Như vậy, câu A và B đúng. Câu C sai vì hre không phải là tổng trở ra mà là hệ số điện áp ngược. Câu D đúng vì câu C sai. Do đó, đáp án D là đáp án chính xác nhất.

300+ câu hỏi trắc nghiệm Linh kiện điện tử có lời giải minh họa - Phần 2

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 30:

Trên đặc tuyến chuyển của JFET kênh N ta thấy:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Trong JFET kênh N, điện áp VGS (điện áp cổng - nguồn) điều khiển dòng ID (dòng máng). Khi VGS càng âm, miền nghèo (depletion region) càng mở rộng, làm hẹp kênh dẫn điện giữa máng và nguồn, do đó làm giảm dòng ID. Khi VGS = 0V, ID đạt giá trị cực đại, gọi là IDSS (dòng máng bão hòa với cổng nối tắt). Vì vậy, đáp án C là chính xác nhất.

Câu 31:

Hiệu điện thế giữa cực thoát và cực nguồn của MOSFET gọi là:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Hiệu điện thế giữa cực thoát (Drain) và cực nguồn (Source) của MOSFET được ký hiệu là VDS. VGS là hiệu điện thế giữa cực cổng (Gate) và cực nguồn (Source), VBE là hiệu điện thế giữa cực bazơ (Base) và cực emitter (Emitter) của transistor BJT, VCE là hiệu điện thế giữa cực collector (Collector) và cực emitter (Emitter) của transistor BJT.

Câu 32:

DIAC là một linh kiện:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

DIAC (Diode for Alternating Current) là một diode bán dẫn hai cực, hai chiều, có cấu tạo gồm hai lớp bán dẫn loại P và ba lớp bán dẫn loại N hoặc ngược lại. DIAC không có cực tính (anode hay cathode) và có thể dẫn điện theo cả hai chiều khi điện áp đặt vào vượt quá điện áp đánh thủng. Do đó, đáp án đúng là B.

Câu 33:

Phát biểu nào đúng về Op_amp lưỡng cực và Op_amp BiFET.

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Op-amp lưỡng cực (Bipolar Op-amp) sử dụng các transistor lưỡng cực (BJT), trong khi Op-amp BiFET sử dụng cả transistor lưỡng cực và transistor trường (FET). Do cấu trúc và nguyên lý hoạt động khác nhau, dòng phân cực của chúng cũng khác nhau.

* Op-amp lưỡng cực: Các BJT yêu cầu dòng điện base đáng kể để hoạt động, dẫn đến dòng phân cực lớn hơn so với Op-amp BiFET.
* Op-amp BiFET: Sử dụng FET ở tầng đầu vào, FET có trở kháng đầu vào rất cao và yêu cầu dòng điều khiển rất nhỏ, do đó dòng phân cực nhỏ hơn.

Như vậy, phát biểu đúng là Op-amp lưỡng cực có dòng phân cực lớn hơn so với Op-amp BiFET.

Câu 34:

IC đóng gói được ký hiệu DIP(Dual Inline Package) có đặc điểm:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

IC đóng gói DIP (Dual Inline Package) là một loại vỏ bọc linh kiện điện tử có đặc điểm nổi bật là có hai hàng chân song song nhau. Các chân này được cắm vào socket hoặc hàn trực tiếp lên bo mạch.

Câu 35:

Trên thân Op_amp có ghi TL081C thì “COMMERCE”

Lời giải: