Transistor mắc kiểu cực nền chung được gọi là mắc kiểu:
A.
CE
B.
CB
C.
CC
D.
Cả ba câu đều sai
Trả lời:
Đáp án đúng: B
Trong mạch transistor, kiểu mắc cực nền chung (Common Base) được ký hiệu là CB. Các kiểu mắc khác bao gồm cực phát chung (Common Emitter - CE) và cực thu chung (Common Collector - CC).
Khi transistor dẫn điện, dòng điện emitter (IE) là tổng của dòng điện collector (IC) và dòng điện base (IB). Do đó, IE là lớn nhất, IC lớn hơn IB. Vậy IE > IC > IB.
Trong mạch tương đương tham số hybrid của BJT: - hie (hay h_ie) là điện trở vào (input resistance) của transistor khi cấu hình E chung. - hfe (hay h_fe) là hệ số khuếch đại dòng điện (current gain) khi cấu hình E chung. - hre (hay h_re) là hệ số điện áp ngược (reverse voltage gain), biểu thị ảnh hưởng của điện áp ra đến điện áp vào. - hoe (hay h_oe) là dẫn nạp ra (output admittance), nghịch đảo của tổng trở ra.
Như vậy, câu A và B đúng. Câu C sai vì hre không phải là tổng trở ra mà là hệ số điện áp ngược. Câu D đúng vì câu C sai. Do đó, đáp án D là đáp án chính xác nhất.
Trong JFET kênh N, điện áp VGS (điện áp cổng - nguồn) điều khiển dòng ID (dòng máng). Khi VGS càng âm, miền nghèo (depletion region) càng mở rộng, làm hẹp kênh dẫn điện giữa máng và nguồn, do đó làm giảm dòng ID. Khi VGS = 0V, ID đạt giá trị cực đại, gọi là IDSS (dòng máng bão hòa với cổng nối tắt). Vì vậy, đáp án C là chính xác nhất.
Hiệu điện thế giữa cực thoát (Drain) và cực nguồn (Source) của MOSFET được ký hiệu là VDS. VGS là hiệu điện thế giữa cực cổng (Gate) và cực nguồn (Source), VBE là hiệu điện thế giữa cực bazơ (Base) và cực emitter (Emitter) của transistor BJT, VCE là hiệu điện thế giữa cực collector (Collector) và cực emitter (Emitter) của transistor BJT.
DIAC (Diode for Alternating Current) là một diode bán dẫn hai cực, hai chiều, có cấu tạo gồm hai lớp bán dẫn loại P và ba lớp bán dẫn loại N hoặc ngược lại. DIAC không có cực tính (anode hay cathode) và có thể dẫn điện theo cả hai chiều khi điện áp đặt vào vượt quá điện áp đánh thủng. Do đó, đáp án đúng là B.
