Thực chất của việc ổn định điểm làm việc của mạch khuếch đại dùng BJT là làm cho điểm làm việc không phụ thuộc vào:

Nhiệt độ

β (=I_C/ I_B)

Nguồn cung cấp

A và B, C đều đúng

Trả lời:

Đáp án đúng: D

Mục đích của việc ổn định điểm làm việc (Q-point) cho mạch khuếch đại dùng BJT là để đảm bảo mạch hoạt động ổn định, không bị ảnh hưởng bởi các yếu tố bên ngoài hoặc sự thay đổi của các thông số linh kiện. Các yếu tố chính ảnh hưởng đến điểm làm việc bao gồm: nhiệt độ (ảnh hưởng đến dòng điện rò và điện áp VBE), hệ số khuếch đại dòng điện β (beta) của transistor (thông số này có thể thay đổi giữa các transistor cùng loại hoặc theo nhiệt độ), và sự biến động của nguồn cung cấp. Do đó, việc ổn định điểm làm việc là làm cho nó ít bị ảnh hưởng bởi cả ba yếu tố này.

400+ câu hỏi trắc nghiệm Kỹ thuật mạch điện tử có lời giải chi tiết từng bước - Phần 3

Multiple-choice exam paper on Electronic Circuit Technology, covering BJT and FET amplifier fundamentals, biasing, feedback, various amplifier configurations (EC, CC, BC, Darlington, Kaskode, differential), impedance, and gain calculations.

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 36: hệ số khuếch đại dòng điện của mạch Base chung (BC):

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Trong mạch Base chung (BC), dòng điện Collector (IC) gần như bằng dòng điện Emitter (IE), và hệ số khuếch đại dòng điện α = IC/IE. Vì IC luôn nhỏ hơn IE một chút do một phần dòng IE đi vào Base, nên α luôn nhỏ hơn 1 một ít.

Câu 37:

Xác định chế độ tĩnh của mạch ở hình 7 với R_B= 470KΩ, R_c = 2.2KΩ, R_E = 2.2KΩ, V_CC = 20V và β = 100.

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Để giải bài toán này, ta cần thực hiện các bước sau: 1. Tính dòng điện I_B qua điện trở R_B: - Áp dụng định luật Ohm cho mạch vòng Base-Emitter: V_CC = I_B * R_B + V_BE + I_E * R_E - Với V_BE ≈ 0.7V và I_E ≈ I_C = β * I_B, ta có: V_CC = I_B * R_B + V_BE + β * I_B * R_E - Suy ra: I_B = (V_CC - V_BE) / (R_B + β * R_E) = (20 - 0.7) / (470000 + 100 * 2200) = 19.3 / (470000 + 220000) = 19.3 / 690000 ≈ 28.0*10^-6 A = 28.0 μA 2. Tính dòng điện I_C: - I_C = β * I_B = 100 * 28.0 * 10^-6 = 2.8 * 10^-3 A = 2.8mA 3. Tính điện áp V_CE: - Áp dụng định luật Kirchhoff cho mạch vòng Collector-Emitter: V_CC = I_C * R_C + V_CE + I_E * R_E - Vì I_E ≈ I_C, ta có: V_CE = V_CC - I_C * (R_C + R_E) = 20 - 2.788 * 10^-3 * (2200 + 2200) = 20 - 2.788*10^-3 * 4400 = 20 - 12.2672 ≈ 7.7328V Vậy, I_C ≈ 2.788mA và V_CE ≈ 7.732V. Do đó, đáp án đúng là: I_C = 2.788mA, V_CE = 7,732V

Câu 38:

Mạch khuếch đại ở hình 7 với các thông số cho ở trên (R_B =470KΩ, R_c = 2.2KΩ, R_E = 2.2KΩ, V_CC = 20V và β = 100) có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ (với R_E >> r_e):

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Câu hỏi yêu cầu tính hệ số khuếch đại dòng điện của mạch. Vì R_E >> r_e, hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ bằng 1. Công thức tính hệ số khuếch đại dòng điện trong trường hợp này là A_i ≈ 1.

Câu 39:

Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ ở hình 5 có sơ đồ tương đương đối với tín hiệu xoay chiều theo hình nào:

Lời giải:

Đáp án đúng: a

Để trả lời câu hỏi này, cần phải xem xét hình 5 (mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ) và so sánh với các hình 8, 9, 10 để xác định sơ đồ tương đương chính xác cho tín hiệu xoay chiều. Do không có hình ảnh đi kèm, tôi không thể xác định đáp án chính xác. Tuy nhiên, đáp án 'A, B, C đều sai' vẫn có khả năng đúng nếu không có hình nào phù hợp.

Câu 40:

Mạch khuếch đại ở hình 4 với các thông số cho ở trên (R_B= 470KΩ, R_c= 2.2KΩ, V_CC= 20V và β = 100) có trở kháng vào xấp xỉ bằng (Nếu giả thiết R_B>>βr_e)

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Để tính trở kháng vào của mạch, ta cần xác định r_e (điện trở emitter xoay chiều). Công thức tính r_e là r_e = V_T/I_E, trong đó V_T là điện áp nhiệt (khoảng 26mV ở nhiệt độ phòng) và I_E là dòng điện emitter.

Để tìm I_E, ta cần tìm I_C (dòng collector) trước. Vì β = 100, ta có I_C ≈ I_E.

Đầu tiên, ta tìm điện áp VB (điện áp base) bằng cách sử dụng mạch phân áp. Vì RB >> βre nên ta có thể bỏ qua ảnh hưởng của dòng base vào công thức tính VB.

VB ≈ VCC * (R2 / (R1 + R2)). Trong trường hợp này, R1 và R2 tương ứng với RB. Do đó, VB ≈ VCC * (RB / RB)= VCC=20V
Vì mạch không cho giá trị R2, mà chỉ cho R_B = 470kΩ và hình vẽ không rõ ràng về R1, R2 nên ta không thể dùng mạch phân áp để tính.

Điện áp VE (điện áp emitter) là VE = VB - VBE, với VBE là điện áp base-emitter (khoảng 0.7V đối với transistor silicon). Do đó VE ≈ VB - 0.7V.

Ta có V_C = VCC - IC*RC.
Ta cần thêm thông tin về mạch hoặc giá trị điện trở để giải quyết bài toán này. Vì không có đủ dữ kiện để tính toán chính xác I_E và do đó r_e, ta không thể tính chính xác trở kháng vào Zin ≈ βr_e. Do đó, đáp án chính xác nhất là "Ngoài các đáp án trên".

Câu 41:

Mạch khuếch đại ở hình 4 với các thông số cho ở trên (R_B= 470KΩ, R_c= 2.2KΩ, V_CC= 20V và β = 100) có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ (nếu r_cevô cùng lớn, R_B>> βr_e):