Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ ở hình 5 có sơ đồ tương đương đối với tín hiệu xoay chiều theo hình nào:

Để tính hệ số khuếch đại dòng điện của mạch, ta sử dụng công thức gần đúng: A_i ≈ R_c / r_e. Tuy nhiên, trước tiên cần tính r_e. Ta có I_C ≈ V_CC / R_C = 20V / 2.2kΩ ≈ 9.09mA. Suy ra, r_e ≈ 26mV / I_C ≈ 26mV / 9.09mA ≈ 2.86 Ω. Vì R_B >> βr_e, hệ số khuếch đại dòng điện A_i ≈ R_c / r_e ≈ 2200Ω / 2.86Ω ≈ 769. Tuy nhiên, các đáp án không có giá trị này. Câu hỏi có vẻ như đang hỏi về hệ số khuếch đại điện áp. Nếu vậy, A_v = -β*R_C/R_B. A_v = -100 * 2.2k/470k = -0.46. Vậy đáp án chính xác nhất là 'ngoài các đáp án trên'. Thực tế, nếu câu hỏi là hệ số khuếch đại dòng thì giá trị đúng phải vào khoảng 769, nhưng nó không xuất hiện trong các đáp án. Do đó chọn đáp án ngoài các đáp án trên.

Trở kháng ra của mạch khuếch đại BJT cấu hình CE (Common Emitter) được xác định chủ yếu bởi điện trở collector (R_C). Trong trường hợp lý tưởng khi r_ce (điện trở ra của transistor) tiến đến vô cùng, trở kháng ra của mạch sẽ xấp xỉ bằng R_C. Trong bài toán này, R_C = 1KΩ. Do đó, trở kháng ra của mạch xấp xỉ 1KΩ.

Để tính hệ số khuếch đại điện áp của mạch, ta cần xác định các thông số sau: 1. Điện trở tương đương tại cực B (R_B): \( R_B = \frac{R_1 \cdot R_2}{R_1 + R_2} = \frac{56KΩ \cdot 39KΩ}{56KΩ + 39KΩ} = \frac{2184}{95} KΩ ≈ 22.99 KΩ \) 2. Dòng điện một chiều qua cực E (I_E): Để tính I_E, ta cần ước tính điện áp V_B. Ta có: \( V_B = \frac{R_2}{R_1 + R_2} \cdot V_{CC} = \frac{39KΩ}{56KΩ + 39KΩ} \cdot 9V = \frac{39}{95} \cdot 9V ≈ 3.69V \) Giả sử V_BE ≈ 0.7V, ta có V_E = V_B - V_BE = 3.69V - 0.7V = 2.99V. \( I_E = \frac{V_E}{R_E} = \frac{2.99V}{600Ω} ≈ 4.98 mA \) 3. Điện trở động r_e: \( r_e = \frac{V_T}{I_E} = \frac{26mV}{4.98mA} ≈ 5.22 Ω \) (Với V_T là điện áp nhiệt, khoảng 26mV ở nhiệt độ phòng) 4. Hệ số khuếch đại điện áp (A_v): \( A_v = - \frac{R_c}{r_e + R_E} \) Vì có hồi tiếp âm cục bộ điện trở \(R_E\), ta tính \(A_v\) như sau: \( A_v = - \frac{R_C}{R_E + r_e} = - \frac{1000}{600 + 5.22} ≈ - \frac{1000}{605.22} ≈ -1.65 \) Tuy nhiên, do đề bài không cung cấp đủ thông tin để tính chính xác (ví dụ, bỏ qua ảnh hưởng của điện trở ra r_o), ta xét trường hợp lý tưởng không có R_E: Vì \(R_E\) được bypass hoàn toàn hoặc bỏ qua, công thức sẽ là: \( A_v = -\frac{R_C}{r_e} = -\frac{1000}{5.22} = -191.57 \) Vì không có đáp án nào gần với kết quả tính toán, đáp án đúng nhất là: ngoài các đáp án trên. Tuy nhiên, cần lưu ý rằng cách tính này có thể chưa hoàn toàn chính xác do thiếu thông tin chi tiết về mạch và các giả định. Nếu R_E không được bypass, và chúng ta bỏ qua r_e, Av = -Rc/Re = -1000/600 = -1.67 Lưu ý: Các giá trị có thể khác nhau tùy thuộc vào các giả định và mức độ chính xác yêu cầu. Trong thực tế, các mạch khuếch đại thường phức tạp hơn và cần phân tích kỹ lưỡng hơn.

Trở kháng vào của mạch khuếch đại, nhìn từ cực B của transistor, là Z_B. Mạch phân áp gồm R1 và R2 song song với trở kháng này. Do đó, trở kháng vào của toàn mạch là R1 song song R2 song song với Z_B, ký hiệu là R_1//R_2//Z_B.