Trong sơ đồ tải R+E, diode D1 sẽ dẫn ở các thời điểm: (D)

V_AV= \(\frac{{{V_M}}}{{2\pi }}\)

V_AV= \(\frac{{{V_M}}}{\pi }\)

15V

100V

135V

175V

Độ lợi dòng nhỏ còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ

Độ lợi dòng lớn còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn

Ngoài hiện tượng hủy thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng hủy thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn

Một cách

Hai cách

Ba cách

Bốn cách

Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dtdv/dtdv/dt khi đóng GTO

Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dtdv/dtdv/dt khi ngắt GTO

Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dtdi/dtdi/dt khi đóng GTO

Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dtdi/dtdi/dt khi ngắt GTO

IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet