Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)? (C)
A.
IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
B.
IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
C.
IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
D.
IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
Trả lời:
Đáp án đúng: C
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) là một linh kiện bán dẫn kết hợp những ưu điểm của cả BJT (Bipolar Junction Transistor) và MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Nó có khả năng đóng cắt nhanh, điện áp điều khiển ở cực cổng nhỏ như MOSFET và khả năng chịu dòng điện lớn như BJT (mà câu hỏi gọi chung là Transistor). Vì vậy, đáp án C là chính xác.





