Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT? (D)
Trả lời:
Đáp án đúng: D
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) là một loại transistor lưỡng cực có cổng cách ly, kết hợp ưu điểm của cả MOSFET (điện trở đầu vào lớn, dễ điều khiển) và BJT (khả năng chịu dòng điện lớn). Do đó:
- IGBT có thể cung cấp công suất trung bình cho tải (vài kW).
- IGBT có tần số làm việc ở mức trung bình (vài kHz, không quá cao như MOSFET nhưng cao hơn BJT).
- Thời gian giao hoán (đặc biệt là thời gian tắt) của IGBT tương đối nhanh (khoảng 0.15 µs hoặc hơn, tùy thuộc vào loại và điều kiện hoạt động).
Vì cả ba phát biểu A, B và C đều đúng (trong phạm vi đặc tính chung của IGBT), nên đáp án D là đáp án chính xác nhất.





