Trong sơ đồ sau, điện áp trung bình trên tải R là: (C)

V_AV= \(\frac{{{V_M}}}{{2\pi }}\)

V_AV= \(\frac{{{V_M}}}{\pi }\)

V_AV = \(\frac{{2{V_M}}}{\pi }\)

V_AV = \(\frac{{{V_M}\cos \alpha }}{{2\pi }}\)

Trả lời:

Đáp án đúng: C

Điện áp trung bình trên tải R trong mạch chỉnh lưu cầu một pha (như sơ đồ) được tính bằng công thức \(V_{AV} = \frac{2V_M}{\pi}\), trong đó \(V_M\) là điện áp cực đại của nguồn xoay chiều.

150+ câu hỏi trắc nghiệm Điện tử công suất giải thích đáp án ngắn gọn, dễ hiểu - Phần 3

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 50:

Trong sơ đồ sau, nếu có điện áp vào U = 150V, tải R = 10Ω, thì điện áp ra trên tải (lấy gần đúng) là: (C)

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Điện áp ra trên tải được tính bằng công thức: Ura = Uvào - (Uvào * (R1/(R1+R2))), trong đó R1 là điện trở 10kΩ và R2 là điện trở 1kΩ. Thay số vào, ta có: Ura = 150 - (150 * (10/(10+1))) = 150 - (150 * 10/11) = 150 - 136.36 = 13.64V. Do đó, điện áp ra trên tải gần đúng là 135V

Câu 1:

Phát biểu nào sau đây đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất (D)

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Transistor (BJT) công suất có những đặc tính quan trọng sau:

* Độ lợi dòng nhỏ và phụ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ: Độ lợi dòng (hFE hoặc β) của transistor công suất không phải là một hằng số. Nó thay đổi theo dòng thu (IC) và nhiệt độ. Thông thường, khi dòng thu tăng, độ lợi dòng có xu hướng giảm. Nhiệt độ tăng cũng có thể ảnh hưởng đến độ lợi dòng, thường làm giảm độ lợi ở dòng thu cao. Do đó, phát biểu A đúng.
* Hiện tượng hủy thác: Transistor công suất có thể bị hỏng do hiện tượng hủy thác (avalanche breakdown) khi điện áp ngược đặt vào cực collector-base vượt quá giới hạn cho phép. Ngoài ra, ở transistor công suất lớn còn có hiện tượng hủy thác thứ cấp do hoạt động ở dòng và áp lớn.

Vì vậy, phương án D (Các câu A và C đều đúng) là đáp án chính xác.

Câu 2:

Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) ngưng dẫn và dòng rỉ rất bé công thức nào sau đây là chính xác nhất (B)

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Khi transistor công suất (BJT) ngưng dẫn, dòng điện chạy qua transistor rất nhỏ, được gọi là dòng rỉ (I_r). Điện áp trên transistor khi nó ngưng dẫn xấp xỉ bằng điện áp nguồn V_CC. Do đó, công suất tiêu thụ khi transistor ngưng dẫn (P_OFF) được tính bằng công thức P_OFF = V_CCI_r. Các phương án khác không phản ánh đúng mối quan hệ này hoặc bao gồm các thành phần không liên quan đến trạng thái ngưng dẫn của transistor.

Câu 3:

Công suất tổn hao của mosfet công suất khi dẫn sẽ là (B)

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Công suất tổn hao khi MOSFET dẫn (ON) được tính bằng công thức P = I^2 * R, trong đó I là dòng điện và R là điện trở. Trong trường hợp MOSFET, công suất tổn hao khi dẫn là do dòng điện ID chạy qua điện trở kênh dẫn RDSon trong khoảng thời gian MOSFET ở trạng thái dẫn (ton). Vì vậy, công thức chính xác là P_ON = I_D^2 * R_DSon * (t_on / T), trong đó T là chu kỳ.

Câu 4:

Công suất tổn hao của mosfet công suất ngưng dẫn sẽ là (D)

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Công suất tổn hao khi MOSFET ngưng dẫn (tắt) là do điện áp VDSmax và dòng điện IDR tồn tại trong thời gian tắt (toff) so với chu kỳ T. Vì vậy, công thức tính là P_OFF = V_DSmaxI_DR * (t_off/T).

Câu 5:

Triac có bao nhiêu cách kích dẫn (D)

Lời giải: