Công suất tổn hao của mosfet công suất ngưng dẫn sẽ là (D)

P_OFF = \[I_D^2\]R_DSon\(\frac{{{t_{off}}}}{T}\)

P_OFF = \[I_D^2\]R_DSon\(\frac{{{t_{on}}}}{T}\)

P_OFF = V_DSmaxI_DR \(\frac{{{t_{on}}}}{T}\)

P_OFF = V_DSmaxI_DR \(\frac{{{t_{off}}}}{T}\)

Trả lời:

Đáp án đúng: D

Công suất tổn hao khi MOSFET ngưng dẫn (tắt) là do điện áp VDSmax và dòng điện IDR tồn tại trong thời gian tắt (toff) so với chu kỳ T. Vì vậy, công thức tính là P_OFF = V_DSmaxI_DR * (t_off/T).

150+ câu hỏi trắc nghiệm Điện tử công suất giải thích đáp án ngắn gọn, dễ hiểu - Phần 3

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 5:

Triac có bao nhiêu cách kích dẫn (D)

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Triac là một linh kiện bán dẫn ba cực, có khả năng dẫn dòng điện theo cả hai chiều khi được kích hoạt. Có bốn chế độ kích dẫn của Triac, tương ứng với các tổ hợp cực tính của điện áp giữa các cực MT2 và Gate so với MT1. Bốn cách kích dẫn này là:

1. MT2 dương, Gate dương (MT2+, G+)
2. MT2 dương, Gate âm (MT2+, G-)
3. MT2 âm, Gate dương (MT2-, G+)
4. MT2 âm, Gate âm (MT2-, G-)

Do đó, đáp án đúng là D.

Câu 6:

Phát biểu nào sau đây đúng và thuận lợi trong việc kích dẫn triac (A)

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Triac có thể được kích dẫn bằng cả dòng điện dương và dòng điện âm ở cả hai cực tính (dương hoặc âm) của điện áp đặt vào. Tuy nhiên, độ nhạy kích dẫn của triac thay đổi tùy thuộc vào cực tính của dòng điện kích và điện áp. Thông thường, triac dễ kích dẫn hơn khi dòng điện kích và điện áp có cùng cực tính (dòng dương khi điện áp dương, dòng âm khi điện áp âm). Do đó, phương án A là đúng và thuận lợi nhất cho việc kích dẫn triac.

Câu 7:

Mạch bảo vệ GTO trong hình vẽ có nhiệm vụ (B)

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Mạch bảo vệ GTO trong hình vẽ (mạch snubber) có nhiệm vụ hạn chế tốc độ tăng điện áp (dv/dt) khi GTO bị ngắt (chuyển từ trạng thái dẫn sang trạng thái khóa). Điều này giúp bảo vệ GTO khỏi bị đánh thủng do điện áp tăng quá nhanh.

Câu 8:

Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)? (C)

Lời giải:

Đáp án đúng: C

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) là một linh kiện bán dẫn kết hợp những ưu điểm của cả BJT (Bipolar Junction Transistor) và MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Nó có khả năng đóng cắt nhanh, điện áp điều khiển ở cực cổng nhỏ như MOSFET và khả năng chịu dòng điện lớn như BJT (mà câu hỏi gọi chung là Transistor). Vì vậy, đáp án C là chính xác.

Câu 9:

Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT? (D)

Lời giải:

Đáp án đúng: D

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) là một loại transistor lưỡng cực có cổng cách ly, kết hợp ưu điểm của cả MOSFET (điện trở đầu vào lớn, dễ điều khiển) và BJT (khả năng chịu dòng điện lớn). Do đó:
- IGBT có thể cung cấp công suất trung bình cho tải (vài kW).
- IGBT có tần số làm việc ở mức trung bình (vài kHz, không quá cao như MOSFET nhưng cao hơn BJT).
- Thời gian giao hoán (đặc biệt là thời gian tắt) của IGBT tương đối nhanh (khoảng 0.15 µs hoặc hơn, tùy thuộc vào loại và điều kiện hoạt động).

Vì cả ba phát biểu A, B và C đều đúng (trong phạm vi đặc tính chung của IGBT), nên đáp án D là đáp án chính xác nhất.

Câu 10:

Trong các linh kiện sau đây, loại nào không phải là linh kiện công suất? (C)

Lời giải: