Đĩa tiếp liệu nằm tại giao điểm đường nồng độ làm việc của đoạn cất và đoạn chưng nếu

Khối lượng riêng khác xa khối lượng riêng của dung dịch

Nhiệt dung riêng bé

Có tính hòa tan chọn lọc

Không độc, không ăn mòn thiết bị

Không cần thiết thu dung môi ở dạng tinh khiết

Cần hoàn nguyên dung môi và quá trình hoàn nguyên đơn giản

Khi hệ số phân bố A của cấu tử A trong dung môi S tương đương với KB trong cấu tử B

Khi không đòi hỏi hoàn nguyên dung môi và quá trình hoàn nguyên khá đơn giản

2 giai đoạn

3 giai đoạn

4 giai đoạn

5 giai đoạn

Tạo phản ứng trong pha khí

Phối trộn hỗn hợp khí theo tỉ lệ thích hợp

Tiến hành xúc tác không đồng thể trên bề mặt

Phạm vi ứng dụng giống phương pháp hấp thụ

Bề mặt riêng than hoạt tính nhỏ hơn Silicagen

Cả hai đều được sản xuất từ 1 loại nguyên liệu

Cả hai đều được dùng hấp phụ ở điều kiện nhiệt độ tương đương nhau

Quá trình kích thích hoạt tính của than hoạt tính thực hiện ở nhiệt độ thấp hơn so với Silicagen

Theo 2 phương pháp

Theo 3 phương pháp

Theo 4 phương pháp

Theo 5 phương pháp

4 thông số H; Y; to; φ của không khí ẩm

5 thông số H; Y; to; φ; ph của không khí ẩm

6 thông số H; Y; to; φ; ph; C của không khí ẩm

7 thông số H; Y; to; φ; ph; C; λ của không khí ẩm

L=W(Y2−Y1)L = \frac{W}{(Y_2 - Y_1)}L=(Y2​−Y1​)W​ kg/s

L=W⋅(Y2−Y1)L = W \cdot (Y_2 - Y_1)L=W⋅(Y2​−Y1​) kg/s

L=W(X2−X1)L = \frac{W}{(X_2 - X_1)}L=(X2​−X1​)W​ kg/s

L=W⋅(Y2−Y1)L = W \cdot (Y_2 - Y_1)L=W⋅(Y2​−Y1​) kg/s

3 thành phần

4 thành phần

5 thành phần

6 thành phần

Nhiệt lượng bổ sung chung bằng không

Nhiệt lượng tổn thất chung bằng không

Tất cả nhiệt lượng tổn thất và bổ sung đều bằng không

Tổng nhiệt lượng tổn thất và bổ sung chung bằng không