Có bao nhiêu tiếp giáp PN trong BJT?

Trong một transistor lưỡng cực (BJT), dòng base (IB) luôn nhỏ hơn rất nhiều so với dòng collector (IC) và dòng emitter (IE). Điều này là do transistor được thiết kế để dòng base nhỏ có thể điều khiển một dòng lớn hơn nhiều giữa collector và emitter. Hệ số khuếch đại dòng điện (beta hoặc hFE) thường lớn hơn 100, có nghĩa là IC = beta * IB. Do đó, dòng base là nhỏ so với dòng collector và emitter.

Theo quy định về an toàn điện, khoảng cách an toàn cho phép để đặt rào chắn đến phần có điện đối với cấp điện áp 15kV là 0,7m. Do đó, đáp án C là chính xác.

Để xác định mức điện áp DC trên collector của transistor trong mạch, chúng ta cần phân tích mạch điện cụ thể (hình 3.41). Vì không có hình ảnh mạch điện đi kèm, chúng ta không thể tính toán chính xác giá trị điện áp collector. Tuy nhiên, chúng ta có thể đưa ra một số nhận xét chung:

* Điện áp Collector (Vc): Điện áp này phụ thuộc vào điện áp nguồn cung cấp (Vcc), điện trở collector (Rc) và dòng điện collector (Ic).
* Trạng thái hoạt động của transistor: Transistor có thể hoạt động ở các chế độ khác nhau (bão hòa, tích cực, ngắt). Chế độ hoạt động ảnh hưởng đến điện áp collector.

Do không có thông tin về mạch điện cụ thể, chúng ta không thể xác định đáp án chính xác. Nếu có sơ đồ mạch, ta sẽ cần tính toán dòng điện collector (Ic) dựa trên điện áp base, điện trở base, và hệ số khuếch đại dòng điện (beta) của transistor. Sau đó, điện áp collector (Vc) sẽ được tính bằng công thức: Vc = Vcc - Ic * Rc. Tuy nhiên, trong trường hợp này, chúng ta không thể thực hiện các phép tính này.

Vì vậy, không có đáp án chính xác do thiếu thông tin về mạch điện.