Khoảng cách an toàn cho phép để đặt rào chắn đến phần có điện đối với cấp điện áp 15kV là:

Chế độ A (Class A) là chế độ khuếch đại mà transistor hoạt động trong vùng tích cực (active region) trong toàn bộ chu kỳ tín hiệu. Điều này có nghĩa là cả tiếp giáp base-emitter và base-collector đều phải được phân cực sao cho transistor luôn dẫn điện. Để đạt được điều này:

• Tiếp giáp base-emitter được phân cực thuận (forward biased).
• Tiếp giáp base-collector được phân cực ngược (reverse biased).

Như vậy, đáp án đúng là tiếp giáp base - collector phải được phân cực ngược.

Câu hỏi này liên quan đến sự ổn định của mạch khuếch đại dùng BJT (Bipolar Junction Transistor) trước những thay đổi của hệ số усиление dòng điện beta (β). Beta là một thông số quan trọng của BJT, nhưng nó rất dễ bị ảnh hưởng bởi nhiều yếu tố, gây ra sự thay đổi trong hoạt động của mạch khuếch đại.

Phân tích các phương án:

• A. Do beta thay đổi theo nhiệt độ: Đúng. Beta của BJT phụ thuộc vào nhiệt độ. Khi nhiệt độ thay đổi, beta cũng thay đổi, dẫn đến sự thay đổi điểm làm việc (Q-point) của transistor, ảnh hưởng đến усиление và hiệu suất của mạch.


• B. Do beta thay đổi theo sự thay đổi ở các tụ ghép tầng: Sai. Tụ ghép tầng chủ yếu ảnh hưởng đến đáp ứng tần số của mạch, chứ không trực tiếp gây ra sự thay đổi của beta.


• C. Do beta khác nhau trong các BJT cùng loại: Đúng. Ngay cả các transistor cùng loại, được sản xuất cùng quy trình, vẫn có sự khác biệt về beta. Sự khác biệt này có thể gây ra sự khác biệt lớn trong hiệu suất của mạch nếu không có biện pháp ổn định.

Kết luận:

Vì cả phương án A và C đều đúng, phương án D (Cả a và c) là đáp án chính xác nhất. Việc ổn định mạch khuếch đại BJT là cần thiết để chống lại những thay đổi của beta do nhiệt độ và do sự khác biệt giữa các transistor.

Trong các cấu hình khuếch đại BJT, cấu hình Emitter chung (Common Emitter) thường được sử dụng cho khuếch đại công suất vì nó cung cấp cả hệ số khuếch đại điện áp và dòng điện lớn. Cấu hình Base chung (Common Base) có hệ số khuếch đại dòng điện nhỏ hơn 1 và cấu hình Collector chung (Common Collector) có hệ số khuếch đại điện áp gần bằng 1, do đó không phù hợp cho khuếch đại công suất.

Trong mạch phân cực phân áp, điện áp tại điểm nối giữa Rb1 và Rb2 được coi là độc lập với dòng base của transistor vì dòng base (Ib) thường rất nhỏ so với dòng điện chạy qua Rb1 và Rb2 (gọi là dòng phân áp). Điều này có nghĩa là sự thay đổi nhỏ trong dòng base sẽ không ảnh hưởng đáng kể đến điện áp tại điểm nối này. Nói cách khác, mạch phân áp được thiết kế sao cho dòng qua Rb1 và Rb2 lớn hơn nhiều so với dòng base, đảm bảo sự ổn định của điện áp phân cực.

Tại sao các phương án khác sai:

• A. Dòng base không chảy qua Rb1 hoặc Rb2: Điều này không đúng. Dòng base có chảy qua Rb1 và Rb2, nhưng nó rất nhỏ so với dòng phân áp.
• C. Chỉ có dòng emitter ảnh hưởng đến dòng chảy qua Rb1 và Rb2: Dòng emitter liên quan đến dòng base và dòng collector. Mặc dù có liên quan, nhưng lý do chính không phải là do dòng emitter.
• D. Tụ nối tầng (tụ ghép tầng) chặn dòng base chảy qua mạch phân áp: Tụ nối tầng được sử dụng để chặn dòng DC và cho phép dòng AC đi qua giữa các tầng khuếch đại, chứ không phải để chặn dòng base trong mạch phân cực phân áp.