Trong một BJT, dòng base là khi được so với hai dòng collector và emitter..

Nhỏ

Lớn

Nhanh

Chậm

Trả lời:

Đáp án đúng: A

Trong một transistor lưỡng cực (BJT), dòng base (Ib) luôn nhỏ hơn rất nhiều so với dòng collector (Ic) và dòng emitter (Ie). Điều này là do transistor được thiết kế để khuếch đại dòng điện, và dòng base nhỏ được sử dụng để điều khiển dòng collector lớn hơn. Công thức gần đúng mô tả mối quan hệ này là Ie = Ic + Ib, và Ic thường lớn hơn Ib rất nhiều lần (ví dụ, hệ số khuếch đại β có thể từ 50 đến 500 hoặc hơn).

400+ câu hỏi trắc nghiệm Kĩ thuật điện có lời giải đầy đủ - Phần 9

21 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 3:

Khoảng cách an toàn cho phép để đặt rào chắn đến phần có điện đối với cấp điện áp 15kV là:

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Theo quy định về an toàn điện, khoảng cách an toàn cho phép để đặt rào chắn đến phần có điện đối với cấp điện áp 15kV là 0,7m. Do đó, đáp án C là chính xác.

Câu 4:

Mức điện áp DC trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu?

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Để xác định mức điện áp DC trên collector của transistor trong mạch, chúng ta cần phân tích mạch điện cụ thể (hình 3.41). Vì không có hình ảnh mạch điện đi kèm, chúng ta không thể tính toán chính xác giá trị điện áp collector. Tuy nhiên, chúng ta có thể đưa ra một số nhận xét chung:

* Điện áp Collector (Vc): Điện áp này phụ thuộc vào điện áp nguồn cung cấp (Vcc), điện trở collector (Rc) và dòng điện collector (Ic).
* Trạng thái hoạt động của transistor: Transistor có thể hoạt động ở các chế độ khác nhau (bão hòa, tích cực, ngắt). Chế độ hoạt động ảnh hưởng đến điện áp collector.

Do không có thông tin về mạch điện cụ thể, chúng ta không thể xác định đáp án chính xác. Nếu có sơ đồ mạch, ta sẽ cần tính toán dòng điện collector (Ic) dựa trên điện áp base, điện trở base, và hệ số khuếch đại dòng điện (beta) của transistor. Sau đó, điện áp collector (Vc) sẽ được tính bằng công thức: Vc = Vcc - Ic * Rc. Tuy nhiên, trong trường hợp này, chúng ta không thể thực hiện các phép tính này.

Vì vậy, không có đáp án chính xác do thiếu thông tin về mạch điện.

Câu 5:

Để mạch khuếch đại hoạt động ở chế độ A, thì tiếp giáp base - collector của BJT cần phải:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Chế độ A (Class A) là chế độ khuếch đại mà transistor hoạt động trong vùng tích cực (active region) trong toàn bộ chu kỳ tín hiệu. Điều này có nghĩa là cả tiếp giáp base-emitter và base-collector đều phải được phân cực sao cho transistor luôn dẫn điện. Để đạt được điều này:

Tiếp giáp base-emitter được phân cực thuận (forward biased).
Tiếp giáp base-collector được phân cực ngược (reverse biased).

Như vậy, đáp án đúng là tiếp giáp base - collector phải được phân cực ngược.

Câu 6:

Tại sao cần phải ổn định mạch khuyếch đại bằng BJT để chống lại sự thay đổi ở beta?

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Câu hỏi này liên quan đến sự ổn định của mạch khuếch đại dùng BJT (Bipolar Junction Transistor) trước những thay đổi của hệ số усиление dòng điện beta (β). Beta là một thông số quan trọng của BJT, nhưng nó rất dễ bị ảnh hưởng bởi nhiều yếu tố, gây ra sự thay đổi trong hoạt động của mạch khuếch đại.

Phân tích các phương án:

A. Do beta thay đổi theo nhiệt độ: Đúng. Beta của BJT phụ thuộc vào nhiệt độ. Khi nhiệt độ thay đổi, beta cũng thay đổi, dẫn đến sự thay đổi điểm làm việc (Q-point) của transistor, ảnh hưởng đến усиление và hiệu suất của mạch.

B. Do beta thay đổi theo sự thay đổi ở các tụ ghép tầng: Sai. Tụ ghép tầng chủ yếu ảnh hưởng đến đáp ứng tần số của mạch, chứ không trực tiếp gây ra sự thay đổi của beta.

C. Do beta khác nhau trong các BJT cùng loại: Đúng. Ngay cả các transistor cùng loại, được sản xuất cùng quy trình, vẫn có sự khác biệt về beta. Sự khác biệt này có thể gây ra sự khác biệt lớn trong hiệu suất của mạch nếu không có biện pháp ổn định.

Kết luận:

Vì cả phương án A và C đều đúng, phương án D (Cả a và c) là đáp án chính xác nhất. Việc ổn định mạch khuếch đại BJT là cần thiết để chống lại những thay đổi của beta do nhiệt độ và do sự khác biệt giữa các transistor.

Câu 7:

Cấu hình BJT nào cho sự khuyếch đại công suất ?

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Trong các cấu hình khuếch đại BJT, cấu hình Emitter chung (Common Emitter) thường được sử dụng cho khuếch đại công suất vì nó cung cấp cả hệ số khuếch đại điện áp và dòng điện lớn. Cấu hình Base chung (Common Base) có hệ số khuếch đại dòng điện nhỏ hơn 1 và cấu hình Collector chung (Common Collector) có hệ số khuếch đại điện áp gần bằng 1, do đó không phù hợp cho khuếch đại công suất.

Câu 8:

Trong mạch phân cực phân áp, tại sao điện áp tại điểm nối của Rb1 và Rb2 được xem là độc lập với dòng base của transistor?

Lời giải: