Chức năng chính của ROM là gì?

A. Lưu trữ dữ liệu và chương trình thực thi

B. Thực hiện các phép toán số học và logic

C. Chỉ đọc dữ liệu, không ghi được

D. Lưu trữ dữ liệu tạm thời để truy cập nhanh

Trả lời:

Đáp án đúng: C

ROM (Read-Only Memory) là bộ nhớ chỉ đọc. Chức năng chính của ROM là lưu trữ dữ liệu và chương trình mà không cho phép ghi đè hoặc sửa đổi trong quá trình sử dụng bình thường. Các dữ liệu này thường là các chương trình khởi động hệ thống hoặc firmware. Do đó, đáp án C là chính xác nhất. Các đáp án khác không mô tả đúng chức năng chính của ROM: - A: ROM không lưu trữ dữ liệu và chương trình thực thi một cách tổng quát như RAM. - B: Phép toán số học và logic là chức năng của CPU. - D: Lưu trữ dữ liệu tạm thời là chức năng của RAM, không phải ROM.

100+ câu hỏi trắc nghiệm Thiết kế VLSI kèm đáp án và lời giải minh họa - Phần 1

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 15:

Trong CMOS, nguồn điện tiêu thụ năng lượng chủ yếu xảy ra khi:

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Trong công nghệ CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), năng lượng tiêu thụ chủ yếu xảy ra khi các transistor chuyển trạng thái (từ bật sang tắt hoặc ngược lại). Quá trình này liên quan đến việc nạp và xả điện dung ký sinh trên các cổng của transistor. Do đó, năng lượng tiêu thụ chủ yếu xảy ra khi thiết bị đang thực hiện các phép tính, vì đây là lúc các transistor chuyển trạng thái liên tục. Phương án A không đúng vì ở trạng thái chờ, các transistor ít chuyển trạng thái, do đó tiêu thụ ít năng lượng. Phương án C không hoàn toàn đúng, vì việc giao tiếp có thể hoặc không làm các transistor chuyển trạng thái liên tục, tùy thuộc vào giao thức và hoạt động cụ thể. Phương án D không liên quan trực tiếp đến tiêu thụ năng lượng của mạch CMOS. Sạc pin là quá trình cung cấp năng lượng cho pin, không phải là tiêu thụ năng lượng trong mạch CMOS.

Câu 16:

Một trong những ưu điểm chính của công nghệ nMOS là:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Công nghệ nMOS (n-channel MOS) có một số ưu điểm, trong đó ưu điểm chính là khả năng tích hợp cao. Điều này là do cấu trúc của transistor nMOS đơn giản hơn so với các công nghệ khác như pMOS hoặc CMOS, cho phép tích hợp nhiều transistor hơn trên một diện tích chip nhất định. Do đó, đáp án C là chính xác. Các lựa chọn khác không phải là ưu điểm chính của nMOS: * A. Tiêu thụ năng lượng thấp: nMOS thường tiêu thụ năng lượng cao hơn so với CMOS. * B. Tốc độ xử lý cao: Tốc độ xử lý của nMOS có thể tốt, nhưng không phải là ưu điểm nổi bật nhất so với các công nghệ khác. * D. Độ tin cậy cao: Độ tin cậy không phải là ưu điểm đặc trưng của nMOS.

Câu 17:

Cấu trúc tinh thể của bán dẫn silic làm cho nó có khả năng bán dẫn do:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Cấu trúc tinh thể của silic (Si) là cấu trúc tứ diện, trong đó mỗi nguyên tử Si liên kết cộng hóa trị với bốn nguyên tử Si khác. Ở nhiệt độ thấp, các điện tử liên kết này khó có thể thoát ra khỏi liên kết để trở thành điện tử tự do, do đó silic có tính chất cách điện. Tuy nhiên, khi nhiệt độ tăng lên hoặc khi có các tạp chất phù hợp (ví dụ: các nguyên tử có hóa trị khác như Bo hoặc Photpho), một số điện tử có thể thoát ra khỏi liên kết, tạo thành các điện tử tự do và lỗ trống. Các điện tử và lỗ trống này là các hạt tải điện, cho phép silic dẫn điện. Mạng lưới liên kết tạo thành các vị trí trống có thể được lấp đầy bởi các electron khác, tạo ra hiệu ứng như thể các "lỗ trống" di chuyển. Điều này làm cho silic có khả năng bán dẫn.

Câu 18:

Trong MOSFET, dòng điện giữa nguồn và chân máng (drain) được điều khiển bởi:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Trong MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), dòng điện chạy giữa cực nguồn (source) và cực máng (drain) được điều khiển bởi điện áp đặt vào cực cổng (gate). Điện áp này tạo ra một trường điện trường, điều chỉnh độ dẫn điện của kênh giữa nguồn và máng. Do đó, đáp án đúng là B.

Câu 19:

Trong cấu trúc MOSFET, pMOS và nMOS có điểm khác nhau chính là:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Trong cấu trúc MOSFET, sự khác biệt chính giữa pMOS và nMOS nằm ở cấu trúc chất nền dẫn điện và điện áp điều khiển. nMOS sử dụng chất nền loại p (p-substrate) và dẫn điện khi điện áp cổng (VGS) lớn hơn điện áp ngưỡng (Vth) (VGS > Vth), trong khi pMOS sử dụng chất nền loại n (n-substrate) và dẫn điện khi VGS nhỏ hơn Vth (VGS < Vth). Hướng dòng điện dẫn cũng khác nhau do sự khác biệt về loại hạt tải điện (electron trong nMOS và lỗ trống trong pMOS).

Điện áp điều khiển là yếu tố quan trọng quyết định trạng thái dẫn hoặc ngắt của transistor, do đó, đây là một điểm khác biệt cơ bản.

Vậy đáp án đúng là A và B.

Câu 20:

Khoảng cách giữa 2 lớp khuếch tán là bao nhiêu?

Lời giải: