Trong cấu trúc MOSFET, pMOS và nMOS có điểm khác nhau chính là:

Câu hỏi yêu cầu xác định khoảng cách giữa hai lớp khuếch tán. Tuy nhiên, không có thông tin nào được cung cấp về bối cảnh cụ thể, loại lớp khuếch tán, hoặc bất kỳ tiêu chuẩn nào liên quan. Do đó, không thể xác định đáp án chính xác dựa trên thông tin được cung cấp. Vì vậy, không có đáp án đúng trong các lựa chọn đã cho.

Phương pháp thiết kế sử dụng Lambda rules chiếm ít diện tích hơn so với Micron rules. Lambda rules là một cách để biểu diễn các quy tắc thiết kế theo một cách độc lập với công nghệ, trong khi Micron rules thì phụ thuộc vào công nghệ cụ thể. Do đó, Lambda rules cho phép thiết kế linh hoạt hơn và có thể được thu nhỏ dễ dàng hơn khi công nghệ phát triển, dẫn đến việc chiếm ít diện tích hơn trên chip.

Layer rule và Source rule không phải là các phương pháp thiết kế phổ biến như Lambda rules và Micron rules trong bối cảnh này.

Câu hỏi này liên quan đến các phương pháp lắng đọng màng mỏng trong sản xuất vi mạch. Lớp oxit (thường là SiO2) bên dưới lớp kim loại thường được tạo ra bằng phương pháp lắng đọng hóa học từ pha hơi (Chemical Vapor Deposition - CVD) hoặc các biến thể của nó, vì phương pháp này cho phép kiểm soát tốt độ dày và tính chất của lớp màng, cũng như khả năng phủ kín tốt trên các bề mặt phức tạp.

* Phương án A: Phương pháp khuếch tán - Khuếch tán thường được sử dụng để đưa tạp chất vào chất bán dẫn, không phải để tạo lớp oxit.
* Phương án B: Lắng đọng hóa hơi - Đây là phương pháp phổ biến để tạo lớp oxit, đặc biệt là SiO2, bằng cách cho các tiền chất hóa học phản ứng trên bề mặt để tạo thành lớp màng mong muốn.
* Phương án C: Lắng đọng chất rắn - Không rõ phương pháp lắng đọng chất rắn ở đây muốn nói đến phương pháp nào. Nếu là lắng đọng bằng chùm phân tử (Molecular Beam Epitaxy - MBE) thì đây là phương pháp tạo màng mỏng chất lượng cao nhưng thường dùng cho các vật liệu bán dẫn, không phổ biến để tạo oxit.
* Phương án D: Phương pháp tán xạ - Tán xạ (Sputtering) là phương pháp vật lý để lắng đọng màng mỏng, có thể dùng để tạo lớp oxit nhưng ít phổ biến hơn CVD vì khó kiểm soát thành phần và tính chất của lớp màng hơn.

Vậy, phương án chính xác nhất là lắng đọng hóa hơi.

Khoảng cách tối thiểu giữa hai n-well phụ thuộc vào công nghệ sản xuất và các yêu cầu thiết kế cụ thể. Tuy nhiên, một giá trị điển hình cho khoảng cách tối thiểu giữa hai n-well là 8 µm. Các giá trị nhỏ hơn có thể dẫn đến các vấn đề về latch-up hoặc các hiệu ứng không mong muốn khác. Do đó, đáp án C là phù hợp nhất.

Lớp khuếch tán (diffusion layer) có điện trở suất cao hơn so với lớp kim loại và polysilicon. Do đó, nó bị sụt áp cao hơn khi có dòng điện chạy qua. Lớp silicon đơn tinh thể có điện trở suất thấp hơn đáng kể so với lớp khuếch tán.

Vậy đáp án đúng là C. Lớp khuếch tán.