Lớp oxit bên dưới lớp kim loại đầu tiên được lắng đọng bằng cách sử dụng?

Câu hỏi này liên quan đến các phương pháp lắng đọng màng mỏng trong sản xuất vi mạch. Lớp oxit (thường là SiO2) bên dưới lớp kim loại thường được tạo ra bằng phương pháp lắng đọng hóa học từ pha hơi (Chemical Vapor Deposition - CVD) hoặc các biến thể của nó, vì phương pháp này cho phép kiểm soát tốt độ dày và tính chất của lớp màng, cũng như khả năng phủ kín tốt trên các bề mặt phức tạp. * **Phương án A: Phương pháp khuếch tán** - Khuếch tán thường được sử dụng để đưa tạp chất vào chất bán dẫn, không phải để tạo lớp oxit. * **Phương án B: Lắng đọng hóa hơi** - Đây là phương pháp phổ biến để tạo lớp oxit, đặc biệt là SiO2, bằng cách cho các tiền chất hóa học phản ứng trên bề mặt để tạo thành lớp màng mong muốn. * **Phương án C: Lắng đọng chất rắn** - Không rõ phương pháp lắng đọng chất rắn ở đây muốn nói đến phương pháp nào. Nếu là lắng đọng bằng chùm phân tử (Molecular Beam Epitaxy - MBE) thì đây là phương pháp tạo màng mỏng chất lượng cao nhưng thường dùng cho các vật liệu bán dẫn, không phổ biến để tạo oxit. * **Phương án D: Phương pháp tán xạ** - Tán xạ (Sputtering) là phương pháp vật lý để lắng đọng màng mỏng, có thể dùng để tạo lớp oxit nhưng ít phổ biến hơn CVD vì khó kiểm soát thành phần và tính chất của lớp màng hơn. Vậy, phương án chính xác nhất là lắng đọng hóa hơi.