Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 4, trở kháng R_A của mạch là: (nếu giả thiết r ce vô cùng lớn) Với Z_B = βr_e +(1+β) R_E

Trở kháng vào của mạch khuếch đại trong sơ đồ tương đương thường được tính bằng cách xem xét các điện trở mắc song song. Trong trường hợp này, trở kháng vào sẽ bao gồm R_1 song song với R_2 và song song với r_e (điện trở emitter). Vậy đáp án đúng là R_1//R_2//r_e.

Trong sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại, trở kháng RA là trở kháng nhìn từ cực collector của transistor. Vì r_ce được giả thiết là vô cùng lớn, nên trở kháng RA chỉ còn lại R_C. Do đó, đáp án đúng là R_C.

Để xác định hệ số khuếch đại điện áp của tầng thứ nhất trong mạch khuếch đại ghép RC, ta cần xem xét các yếu tố ảnh hưởng đến hệ số khuếch đại của tầng này. Giả thiết R9 >> re(Q2) và rce của các transistor vô cùng lớn giúp đơn giản hóa việc phân tích. Hệ số khuếch đại điện áp của một tầng khuếch đại transistor BJT (Bipolar Junction Transistor) thường được xác định bởi tỷ lệ giữa điện trở tải và điện trở phát (emitter resistance). Trong trường hợp này: - R3 là điện trở tải của tầng thứ nhất. - re(Q1) là điện trở phát của transistor Q1. Tuy nhiên, cần lưu ý rằng R3 song song với trở kháng nhìn từ cực collector của Q1 xuống. Trở kháng này xấp xỉ bằng (R7 // R8). Do đó, hệ số khuếch đại điện áp của tầng thứ nhất sẽ là R3 // (R7 // R8) / re(Q1). Vì vậy, đáp án đúng là R3 // (R7 // R8)/ re(Q1).