một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng ghép biến áp giữa các tầng là:

Để xác định hệ số khuếch đại điện áp của tầng thứ nhất trong mạch khuếch đại ghép RC, ta cần xem xét các yếu tố ảnh hưởng đến hệ số khuếch đại của tầng này. Giả thiết R9 >> re(Q2) và rce của các transistor vô cùng lớn giúp đơn giản hóa việc phân tích. Hệ số khuếch đại điện áp của một tầng khuếch đại transistor BJT (Bipolar Junction Transistor) thường được xác định bởi tỷ lệ giữa điện trở tải và điện trở phát (emitter resistance). Trong trường hợp này: - R3 là điện trở tải của tầng thứ nhất. - re(Q1) là điện trở phát của transistor Q1. Tuy nhiên, cần lưu ý rằng R3 song song với trở kháng nhìn từ cực collector của Q1 xuống. Trở kháng này xấp xỉ bằng (R7 // R8). Do đó, hệ số khuếch đại điện áp của tầng thứ nhất sẽ là R3 // (R7 // R8) / re(Q1). Vì vậy, đáp án đúng là R3 // (R7 // R8)/ re(Q1).

Sơ đồ đẩy kéo sử dụng hai transistor (T1 và T2) để khuếch đại tín hiệu. Transistor T3 thường được sử dụng trong mạch tiền khuếch đại hoặc mạch tạo tín hiệu điều khiển, chứ không có nhiệm vụ đảo pha tín hiệu trực tiếp đưa vào T1 trong cấu hình đẩy kéo cơ bản. Ở nửa chu kỳ dương, T2 tắt và T1 dẫn, và ngược lại. Vì vậy, phát biểu 'ở nửa chu kỳ âm sau, T2 tắt, T1 tắt' là sai.

Trong một bộ khuếch đại thuật toán (Op-Amp) lý tưởng, trở kháng đầu vào (Z_r hay Z_in) được coi là vô cùng lớn (∞), và trở kháng đầu ra (Z_o hay Z_out) được coi là bằng 0. Điều này có nghĩa là Op-Amp lý tưởng không tiêu thụ dòng điện từ nguồn tín hiệu (trở kháng đầu vào vô cùng lớn) và có thể cung cấp dòng điện không giới hạn cho tải (trở kháng đầu ra bằng 0). Vì câu hỏi nêu Z_r=0, nên đáp án là "Sai".